[发明专利]电子元件的清洗方法及装置

权利要求书

1、电子元件的清洗方法，所述的电子元件包括半导体基板、玻璃基板、电子元件及上述这些的制造装置的部件，所述的方法包括：

用清洗液清洗所述的电子元件的清洗步骤；

用包含有阳极室、阴极室和中间室的三槽式电解装置电解去离子水或超纯水，得到去离子水电解水的电解步骤；以及

用所述的去离子水电解水洗涤所述的经清洗的电子元件的洗涤步骤，所述的去离子水电解水用作洗涤水，其中，所述的中间室被固体电解质的离子交换膜与所述的阳极室和阴极室分隔开，并且所述的中间室被固体电解质所填充。

2、如权利要求1所述的方法，其特征在于所述的填充中间室的固体电解质是离子交换树脂。

3、如权利要求1所述的方法，其特征是进一步包括向要被电解的所述去离子水或超纯水中添加挥发性、低沸点的电解质的步骤。

4、如权利要求1所述的方法，其特征是进一步包括向要被用作所述洗涤液的用于所述洗涤的所述去离子水电解水阳极水和阴极水中添加电解质的步骤，所述的电解质是酸或碱。

5、权利要求1至4中任何一项所述的电子元件清洗方法，其特征是，用除去有机物的清洗液进行清洗，用去离子水电解水的阳极水进行洗涤。

6、权利要求1至4中任何一项所述的电子元件清洗方法，其特征是，用除去有机物的清洗液进行清洗，用去离子水电解水的阴极水进行洗涤。

7、权利要求5所述的电子元件清洗方法，其特征是，除去有机物的清洗液是硫酸过氧化氢清洗液。

8、权利要求6所述电子元件清洗方法，其特征是，除去有机物的清洗液是硫酸过氧化氢清洗液。

9、权利要求1至4中任何一项所述的电子元件清洗方法，其特征是，用除去微粒子的清洗液进行清洗，用去离子水电解水的阴极水进行洗涤。

10、权利要求1至4中任何一项所述的电子元件清洗方法，其特征是，用除去附着金属的清洗液进行清洗，用去离子水电解水的阳极水进行洗涤。

11、权利要求1所述的电子元件清洗方法，其特征是，用除去氧化膜的清洗液清洗，用去离子水电解水的阴极水进行洗涤处理。

12、电子元件清洗装置，该装置包括：

去离子水制造装置，包含离子交换装置、膜处理装置和蒸馏装置；

清洗装置，用来使用清洗液清洗半导体基板、玻璃基板、电子元件及这些的制造装置的部件的被清洗物、并接着用洗涤液洗涤处理这些被清洗物；

电解装置，用来从所述的去离子水或超纯水制造装置的去离子水或超纯水制造去离子水电解水的阳极水和/或阴极水，并将所述的阳极水和/或阴极水作为用于洗涤的洗涤液送到清洗装置；

其中，所述的电解装置是三槽式的，包括阳极室、阴极室以及中间室，所述的电解装置设置在从所述的去离子水或超纯水制造装置到所述的去离子水或超纯水制造装置的去离子水或超纯水循环系统分支的配管上，所述的中间室被固体电解质所填充，并且所述的中回室被固体电解质的离子交换膜与所述的阳极室和阴极室分隔开。

13、如权利要求12所述的装置，其特征在于所述的填充中间室的固体电解质是离子交换树脂。

14、权利要求12或13所述的电子元件清洗装置，进一步包括向供给电解装置的水中添加电解质的装置。

15、权利要求12或13所述的电子元件清洗装置，进一步包括向电解装置输出液中添加酸或碱的装置。