[发明专利]光电二极管阵列无效
申请号: | 95118782.1 | 申请日: | 1995-11-07 |
公开(公告)号: | CN1053295C | 公开(公告)日: | 2000-06-07 |
发明(设计)人: | 沃纳·库尔曼;马丁·施米特;罗尔夫·林德;罗兰·W·齐格勒 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01T1/20;G01N23/04;H01L27/14 |
代理公司: | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人: | 吴秉芬 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电二极管 阵列 | ||
本发明涉及一种光电二极管阵列。
在X光的计算机层析摄影中,X光探测器将入射的X光信号转换为一电信号。最常用的探测器结构是氙电离箱阵列或闪烁器及其附设的光电二极管阵列。
在闪烁器-光电二极管阵列中,闪烁器将入射的X射线量子转换成光子。沿射线方向设在闪烁器之后的光电二极管吸收入射的光子而得到光电流,该光电流与入射的X射线光强成正比。
本发明的目的在于提供一种光电二极管阵列,其光电二极管单片地置于一基片上,其中少部分直接进入光电二极管的X射线量子不产生杂散的干扰信号,并且其中从一个探测器通路到下一探测器通路的信号串扰在很大程度上被抑制了。
本发明的目的是这样实现的,即提供这样一种光电二极管阵列,其带有一个基片,在此基片上设有一组光电二极管,其中每两个光电二极管之间设有一个集电二极管,并且集电二极管的阳极互相连接,其共同的阳极触点接在一电压源上,使集电二极管反向工作。本装置在x光计算机层析摄影中尤为适用。
下面借助附图所示的一个实施例详细说明本发明,附图所示为:
图1为一个用以说明本发明构思的光电二极管阵列剖视图,
图2为本发明的按照图1所示的光电二极管阵列的电路图。
图1示出了一个具有一组光电二极管3的光电二极管阵列,这些光电二极管3设置在基片1上,基片1设有一背面触点2。在每两个光电二极管3之间设有一个集电二极管4,它同样设在基片1上。光电二极管3将从一个未示出的、串接的闪烁器中由X射线产生的光转换成一个相应的电信号。该光电二极管3和集电二极管4在图1中也以线路符号表示。
通过集电二极管4使直接转换对产生的信号的影响以及光学串扰的影响明显减小。
另一明显的信号改善,通过集电二极管4的空间电荷区范围从阳极范围(P区)向阴极范围(N区)附近延伸而实现。为此布线时对二极管对(光电二极管3和围绕光电二极管3的集电二极管4)作如下安排:
在制造时使所有的集电二极管4在阳极相接触,其共同的阳极触点5接在电压源6(电压U=0-100V)上,使集电二极管4反向工作(图2)。
通过恰当地选择反向截止电压Vab和光电二极管3上的偏压(电压源7),可按以下准则对集电二极管4中的空间电荷区进行调整:
1、两个二极管3、4的边缘区域内直接转换最小
2、光学串扰在硅片内被抑制
3、各个光电二极管间电隔离
4、光电二极管3中的暗电流变得最小
5、因此光电二极管3的暗电流温度系数变得很小。
所有上述提到的要点都会导致一CT探测仪性能的改善,并能使计算机层析摄影的图象更完美。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的