[发明专利]具有微波屏蔽结构的微波炉门无效

专利信息
申请号: 95118872.0 申请日: 1995-12-20
公开(公告)号: CN1145998A 公开(公告)日: 1997-03-26
发明(设计)人: 金秉浚;全又金;洪元杓;金相镇;林炳甲;姜兴大;赵载元;申溶守 申请(专利权)人: 大宇电子株式会社
主分类号: F24C7/02 分类号: F24C7/02;H01P1/36
代理公司: 柳沈知识产权律师事务所 代理人: 李晓舒
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具有 微波 屏蔽 结构 炉门
【权利要求书】:

1、一种微波炉门,其包括:

一门屏板,其具有能观察食物烹调状态的穿孔;

一密封面,用于首先屏蔽微波泄漏,所述密封面是沿所述门屏板的周边部分构成的,所述密封面与在微波炉腔体的烹调室进口处构成的前面板的整个周边区域接合;

一门框,其具有用于辅助地屏蔽从所述密封面与前面板之间泄漏的微波的阻塞结构,所述门框是通过延伸密封面而整体构成的;

其特征在于:

所述阻塞结构包括:一拉伸侧壁,其是从所述密封面对着所述前面板弯曲而构成的;一下阻塞壁,其是从所述拉伸侧壁的一端朝外弯曲并延伸而构成的;一外阻塞壁,其是从下阻塞壁的一端朝所述密封面弯曲并延伸而构成的;一上阻塞壁,其是从外阻塞壁的一端朝所述拉伸侧壁弯曲并延伸而构成的;从所述上阻塞壁的末端和所述拉伸侧壁之间构成的第一开口开始,构成至少两个不连续的传送路径,以构成长度为1/4·λ0的微波传送路径,λ0是自由空间微波波长。

2、按照权利要求1所述的微波炉门,其特征在于:所述阻塞结构包括:一分隔壁,其是从所述上阻塞壁的末端向所述阻塞结构内弯曲而突出地构成的;所述微波传送路径包括:从第一开口至所述下阻塞壁的内表面构成的第一传送路径,从第二开口至所述外阻塞壁的内表面构成的第二传送路径,该第二开口是从分隔壁的末端至所述下阻塞壁构成的,从第三开口至所述上阻塞壁的内表面构成的第三传送路径,该第三开口是从所述分隔壁的末端至所述外阻塞壁构成的。

3、按照权利要求2所述的微波炉门,其特征在于:所述阻塞结构包括许多槽,用于将阻塞结构分成许多阻塞来构成许多开口式传送路径,跨过所述阻塞结构横向地构成这些槽,其构成在所述门框的全部周边区域。

4、按照权利要求3所述的微波炉门,其特征在于:这些槽连续地构成在所述分隔壁、所述上阻塞壁和所述外阻塞壁上,构成在所述外阻塞壁上的槽的深度不大于从所述上阻塞壁凸出的所述分隔壁的高度。

5、按照权利要求3所述的微波炉门,其特征在于:一个槽与一个相邻槽之间构成的阻塞的宽度小于自由空间微波波长的1/4。

6、按照权利要求3所述的微波炉门,其特征在于:每个孔的形状为圆形或矩形的许多孔形成在对着所述阻塞结构处形成的槽的所述下阻塞壁的部分,用于改善开口式传送路径的输入阻抗和各开口式传送路径之间的特性阻抗。

7、按照权利要求6所述的微波炉门,其特征在于:孔的宽度不大于所述槽的宽度。

8、按照权利要求3所述的微波炉门、其特征在于:第一传送路径由初级第一短路传送路径和次级第一短路传送路径构成,初级第一短路传送路径从第一开口开始由所述拉伸侧壁和所述分隔壁构成,次级第一短路传送路径从分隔壁的末端开始由所述外阻塞壁和所述拉伸侧壁构成。

9、按照权利要求1所述的微波炉门,其特征在于:微波传送路径包括:从第一开口至所述下阻塞壁的内表面构成的第一传送路径,从第二开口至所述外阻塞壁构成的第二传送路径,该第二开口是从所述上阻塞壁的末端至所述下阻塞壁构成的。

10、按照权利要求9所述的微波炉门,其特征在于:所述阻塞结构包括多个槽,用于将阻塞结构分成许多阻塞来构成多个开口式传送路径,跨过所述阻塞结构横向构成这些槽,其构成在所述门框的整个周边区域。

11、按照权利要求10所述的微波炉门,其特征在于:这些槽连续地构成在所述上阻塞壁和所述外阻塞壁上。

12、按照权利要求10所述的微波炉门,其特征在于:一个槽与一个相邻槽之间构成的阻塞的宽度小于1/4自由空间波长。

13、按照权利要求10所述的微波炉门,其特征在于:每个孔的形状为圆形或矩形的多个孔形成在对着所述阻塞结构处构成的槽的所述下阻塞壁部分,用于改善开口式传送路径的输入阻抗和每个开口式传送路径之间的特性阻抗。

14、按照权利要求13所述的微波炉门,其特征在于:孔的宽度不大于所述槽的宽度。

15、按照权利要求1所述的微波炉门,其特征在于:微波路径的长度大约在29.6mm和30.6mm之间。

16、按照权利要求1所述的微波炉门,其特征在于:第一开口的尺寸大约是3mm至8mm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大宇电子株式会社,未经大宇电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/95118872.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top