[发明专利]射频化学气相沉积法合成β-C3N4超硬薄膜材料无效
申请号: | 95119074.1 | 申请日: | 1995-12-13 |
公开(公告)号: | CN1059716C | 公开(公告)日: | 2000-12-20 |
发明(设计)人: | 范湘军;吴大雄;郭怀喜;彭友贵 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | C23C16/36 | 分类号: | C23C16/36;C23C16/50 |
代理公司: | 武汉大学专利事务所 | 代理人: | 余鼎章 |
地址: | 43007*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 化学 沉积 合成 c3n4 薄膜 材料 | ||
【权利要求书】:
1.一种用射频化学气相沉积法合成氮化碳超硬薄膜材料的方法,它是在真空室中充入乙炔和氮气,通过射频电场的作用,在工件表面合成氮化碳超硬薄膜,其特征在于:在氮化碳薄膜和工件表面间先沉积了一层过渡层。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述的过渡层是非晶硅或二氧化硅。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的