[发明专利]单晶硅上大面积(100)取向的金刚石膜的生长方法无效
| 申请号： | 95119376.7 | 申请日： | 1995-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1039595C | 公开（公告）日： | 1998-08-26 |
| 发明（设计）人： | 顾长志;金曾孙 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26 |
| 代理公司： | 吉林大学专利事务所 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130023 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 大面积 100 取向 金刚石 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在单晶硅上大面积(100)取向金刚石膜的生长方法，以单晶硅为衬底，以H2、CH4为反应气体，采用微波制备金刚石膜技术，制备(100)取向金刚石膜，其特征在于，单晶硅衬底为任意解理面，并在金刚石粉中正反两面研磨形成均匀划痕；在制备中反应气体还包括有CO，三种反应气体的流量大小满足H2∶CH4∶CO＝100∶(0.5～1.5)∶(3～6)；衬底温度控制在870～890℃范围，压力控制在30～45torr范围，衬底旋转，转速控制在0.2～1转/分。
2.按照权利要求1所述的在单晶硅上大面积(100)取向金刚石膜的生长方法，其特征在于所说的对单晶硅衬底两面研磨形成的均匀划痕宽度和深度均小于10-5mm，所使用的金刚石粉粒度为1μm以下；单晶硅衬底的旋转转速均匀大小为1/3-2/3转/分。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
