[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

准备一个表面不平整的树脂衬底；

在上述树脂衬底上形成一树脂层以平面化所述衬底的上表面；

在所说的树脂衬底上，形成晶体硅组成的一个半导体层；和

用所说半导体层形成薄膜晶体管。

2.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

准备一个表面不平整的树脂衬底；

在比所有其它步骤的热处理温度更高的温度热处理所述树脂衬底，使所说树脂衬底脱气；

在所说树脂衬底上形成一树脂层以平面化所述衬底的上表面；

在所说树脂层上形成晶体硅组成的一个半导体层；

用所说半导体层形成薄膜晶体管。

3.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

准备一个表面不平整的树脂衬底；

在比所有其它步骤的热处理温度更高的温度热处理所述树脂衬底，使所说树脂衬底脱气；

在所说树脂衬底上形成一树脂层以平面化所述衬底的上表面；

在所说树脂衬底上形成由非晶硅组成的一个半导体层；和

用所说半导体层形成薄膜晶体管。

4.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：

准备一个表面不平整的树脂衬底；

在高于所有其它步骤中所用的任何热处理温度的温度，热处理所述树脂衬底，以给所述树脂衬底脱气；

在所说树脂衬底上形成一树脂层以平面化所述衬底的上表面；

在所述树脂衬底上形成薄膜晶体管。

5.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：

准备一个表面不平整的树脂衬底；

在所说树脂衬底上形成一树脂层以平面化所述衬底的上表面；和

在所述树脂衬底上形成薄膜晶体管。

6.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：

准备一个表面不平整的树脂衬底；

在所说树脂衬底上形成一树脂层以平面化所述衬底的上表面；

在所说树脂衬底上形成由非晶硅组成的一个半导体层；和

在所述树脂衬底上形成薄膜晶体管。

7.根据权利要求1的方法，其中所述衬底包括选自以下组中的材料：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯萘甲酸酯、聚乙烯亚硫酸酯和聚酰亚胺。

8.根据权利要求2的方法，其中所述衬底包括选自以下组中的材料：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯萘甲酸酯、聚乙烯亚硫酸酯和聚酰亚胺。

9.根据权利要求3的方法，其中所述衬底包括选自以下组中的材料：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯萘甲酸酯、聚乙烯亚硫酸酯和聚酰亚胺。

10.根据权利要求4的方法，其中所述衬底包括选自以下组中的材料：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯萘甲酸酯、聚乙烯亚硫酸酯和聚酰亚胺。

11.根据权利要求5的方法，其中所述衬底包括选自以下组中的材料：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯萘甲酸酯、聚乙烯亚硫酸酯和聚酰亚胺。

12.根据权利要求6的方法，其中所述衬底包括选自以下组中的材料：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯萘甲酸酯、聚乙烯亚硫酸酯和聚酰亚胺。

13.根据权利要求1的方法，其中所述树脂层包括选自以下组中的材料：丙稀酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯和丙稀酸2-乙氧基乙酯。

14.根据权利要求2的方法，其中所述树脂层包括选自以下组中的材料：丙稀酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯和丙稀酸2-乙氧基乙酯。

15.根据权利要求3的方法，其中所述树脂层包括选自以下组中的材料：丙稀酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯和丙稀酸2-乙氧基乙酯。

16.根据权利要求4的方法，其中所述树脂层包括选自以下组中的材料：丙稀酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯和丙稀酸2-乙氧基乙酯。

17.根据权利要求5的方法，其中所述树脂层包括选自以下组中的材料：丙稀酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯和丙稀酸2-乙氧基乙酯。

18.根据权利要求6的方法，其中所述树脂层包括选自以下组中的材料：丙稀酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯和丙稀酸2-乙氧基乙酯。