[发明专利]盘形静磁波装置

说明书

本发明总的来说涉及静磁波装置。更具体地说涉及采用铁氧体磁性基体的静磁波装置，它被用作S/N(信号噪声比)增强器和滤波器。

构成本发明的背景技术的一种典型的S/N增强器例如在以下文件中得到了公开：1980年关于磁学的IEEE论文集Vol.MAG-16，第1168至1170页，题目是“宽频带微波信号噪声比增强器”，以及美国专利第4,283,692号。图1是代表这样一种典型的S/N增强器的透视图。图1所示的S/N增强器1包括矩形板YIG薄膜2，作为铁氧体磁性基体。在矩形板GGG衬底3的一个主表面上制备YIG薄膜2。YIG薄膜2的一面粘附在矩形板介电衬底4的一个主表面的中央部分上。在这个介电衬底4的一个主表面的中央部分上沿着其宽度方向形成作为变换器的直线形微波传输带5，其方式是该微波传输带5横切YIG薄膜2。输入引线(未示出)的一端与微波传输带5的一端相连，而输出引线(也未示出)的一端与微波传输带5的另一端相连。在介电衬底4的另一主表面上形成接地电极6。应注意的是，输入引线的另一端和输出引线的另一端分别接地。

在图1所示的S/N增强器1中，DC磁场Ho沿着微波传输带5的纵向被施加到作为铁氧体磁性基体的YIG薄膜2上。然后在这个S/N增强器1中，当RF(高频)能量被施加到其输入引线上时，在微波传输带5的周围产生RF磁场，于是在YIG薄膜2中激发了表面静磁波(MSSW)，它是静磁波的三种方式中的一种。当施加到输入引线的RF能量低时，由于该RF能量的基本部分转换成了静磁波，所以从输出引线得到的输出能量变得非常低。另一方面，当施加到输入引线的RF能量高时，由于从RF能量到静磁波的转换已被饱和，所以从输出引线通过微波传输带5得到RF能量的基本部分。结果，基本上没有噪声分量(其输入能量低)输出，但是从该S/N增强器1可以输出信号分量(其输入能量高)的基本部分。因此，在该S/N增强器1中可以提高信噪比。该S/N增强器1中-6dBm和10dBm处的频率特性示于图2，而3.3GHz处的输入/输出特性示于图3。

在图1所示的S/N增强器1中，噪声衰减量是根据作为铁氧体磁性基体的YIG薄膜2部分的长度“L”确定的，YIG薄膜2对着作为变换器的微波传输带5部分。应注意的是在该S/N增强器1中，将这一长度“L”选择为2.1cm。当提高S/N增强器1中噪声的衰减量时，一个有效的措施是增加该长度“L”。然而，这一措施造成的问题是这种成本很高的铁氧体磁性基体如YIG薄膜的尺寸将变大。换句话说，当YIG薄膜2做得小以便获得小型低廉的S/N增强器1时，对着微波传输带5的YIG薄膜2部分的长度“L”应变短，这样噪声衰减量将降低。

此外在图1的S/N增强器1中，在微波传输带5从YIG薄膜的边缘部分反射经转换的静磁波，然后通过S/N增强器1的部分如微波传输带5该反射的静磁波可能变换成RF能量。当存在这种反射的静磁波时，该静磁波可能作为S/N增强器1的传输频带中的幅度和相位的脉动分量出现。结果，需要减小这种S/N增强器1中对静磁波的反射。这就是说要增加沿着传播方向即YIG薄膜2的宽度“W”的静磁波的长度，并且进一步在YIG薄膜2的边缘部分提供静磁波吸收部件。

本发明旨在解决上述问题，因此，本发明的目的是提供以低成本制造的小型静磁波装置。

为达此目的，根据本发明的一个方面的静磁波装置的特征在于包括：

铁氧体磁性基体；

变换器，其一部分安排在所述铁氧体磁性基体的一个表面上，另一部分安排在所述铁氧体磁性基体的另一个表面上；

输入引线，其一端与所述变换器的一端相连，其另一端接地；及

输出引线，其一端与所述变换器的另一端相连，其另一端接地。

在根据本发明的静磁波装置中，由于以下将要提到的原因，铁氧体磁性基体最好做成盘形。

此外，根据本发明的静磁波装置中，由于以下将要提到的原因，最好进一步包括：另一个变换器，其一部分安排在所述铁氧体磁性基体的一个表面上，另一部分安排在所述铁氧体磁性基体的另一个表面上，并与所述变换器并联。