[发明专利]场致发射微尖的簇形布局无效

专利信息
申请号: 95119849.1 申请日: 1995-11-20
公开(公告)号: CN1130840A 公开(公告)日: 1996-09-11
发明(设计)人: 罗伯特H·泰勒;朱尔斯D·莱文 申请(专利权)人: 德克萨斯仪器股份有限公司
主分类号: H04N5/70 分类号: H04N5/70
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 陈亮
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发射 布局
【权利要求书】:

1.电子发射装置,其特征在于包括:

限定网格间隔的导电网格状结构;

与所述网格状结构横向分隔开并占据所述网格中的中心区域的导电板;

与所述网格状结构和所述导电板电气上接触的电阻层;

位于所述中心区域中的多个微尖发射体。

2.如权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于它还包括与所述导电网格状结构、所述导电板及所述电阻层电气上绝缘的导电层,所述导电层中有孔形成,每个所述发射体在导电板中的相应一个所述孔中形成。

3.如权利要求2所述的电子发射装置,其特征在于它还包括用于在所述导电网格状结构和所述导电层之间加一电势的装置。

4.如权利要求2所述的电子发射装置,其特征在于所述网格状结构包含一阴极而所述导电层包含一栅极。

5.如权利要求2所述的电子发射装置,其特征在于所述孔在所述导电层中形成一个阵列。

6.如权利要求2所述的电子发射装置,其特征在于在所述导电层中的所述孔一般是圆形的且所述微尖发射体一般为圆锥形。

7.如权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于所述电阻层包含非晶硅。

8.如权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于所述微尖发射体包含钼。

9.如权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于所述导电板的材料是从包含铝、铬、钼和铌的组中选出来的。

10.如权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于所述导电网格状结构的材料是从含有铝、铬、钼和铌的组中选出来的。

11.如权利要求2所述的电子发射装置,其特征在于所述导电层包含铌。

12.电子发射装置,其特征在于包括:

绝缘衬底;

位于所述衬底上的导电网格状结构;

位于由所述网格状结构形成的间隔中的所述衬底上并与网格状结构电绝缘的导电板;

覆盖所述导电板并与所述网格状结构电气上接触的电阻层;以及

在所述电阻层上的多个微尖发射体且它们位于所述导电板的上方。

13.如权利要求12所述的电子发射装置,其特征在于所述导电板和所述网格状结构的间隔基本上大于覆盖了所述导电极的所述电阻层的厚度。

14.如权利要求12所述的电子发射装置,其特征在于它还包括覆盖所述电阻层且与其电绝缘的导电层,所述导电层中有孔形成,每个所述发射体在所述导电层中相应的一个所述孔中形成。

15.如权利要求14所述的电子发射装置,其特征在于它还包括用于在所述导电网格状结构和所述导电层之间加一电势的装置。

16.如权利要求14所述的电子发射装置,其特征在于所述网格状结构包含阴极而所述导电层包含栅极。

17.如权利要求14所述的电子发射装置,其特征在于所述孔在所述导电层中形成一阵列。

18.如权利要求14所述的电子发射装置,其特征在于,在所述导电层中的所述孔一般为圆形且所述微尖发射体一般为圆锥形。

19.如权利要求12所述的电子发射装置,其特征在于所述电阻层包含非晶硅。

20.如权利要求12所述的电子发射装置,其特征在于所述微尖发射体包含钼。

21.如权利要求12所述的电子发射装置,其特征在于所述导电板的材料从包含铝、铬、钼和铌的组中选取。

22.如权利要求12所述的电子发射装置,其特征在于所述导电网格状结构的材料从包含铝、铬、钼和铌的组中选取。

23.如权利要求14所述的电子发射装置,其特征在于,其特征在于所述导电层包含铌。

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