[发明专利]具有抑制故障存储单元漏电流冗余功能的半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括以一定数量的存储单元列或存储单元行作为一个存储单元，执行信息读出/写入的有许多存储单元的存储阵列，其中在上述存储单元阵列中，许多上述读/写单元形成通常的存储单元阵列，并且在上述存储单元阵列中，至少有一个所述读/写单元形成一个备用存储单元阵列，当上述通常存储单元含有故障存储单元时，替换有关读/写单元，上述半导体存储器件包括：

根据上述信息的第一逻辑电平，提供第一电位的第一电源，

根据上述信息的第二逻辑电平，提供第二电位的第二电源，

许多的位线，每个都连接到至少一个上述存储单元；

许多的读出放大器，每个都连接到所述位线，以便根据上述存储单元的存储信息，来提供第一个电位和第二个电位中的一个，

其中上述读出放大器包括：

供给第一电位的第一电源输入节点，

供给第二电位的第二电源输入节点，

上述半导体存储器件还包括：

供给第三电位的第三电源，

把上述第三电位供给上述存储单元阵列的每个读/写单元的许多电源互连，

对应外部控制信号的许多第一开关装置，用于打开/关闭由上述许多的电源互连供给第三电位的每个上述位线、每个上述第一和第二电源输入节点、上述读出放大器的连接，

许多的第二开关装置，可以分别以非易失方式设置上述许多电源互连和对应的上述许多读/写单元之间的连接。

2.根据权利要求1，所述半导体存储器件，其中对每个上述存储单元列和存储单元行作为一对提供上述位线，

其中上述每个存储单元连接到相应位线对的一个位线，

其中上述读出放大器被提供给上述每个存储单元列或存储单元行，用来放大每个相应的存储单元的存储信息，作为在上述线对之间的电位差，

上述半导体存储器件还包括：

用于打开/关闭上述第一和第二电位到上述读出放大器的第一和第二电源输入引线的各自独立的连接第一和第二读出放大器的驱动开关装置，上述第一和第二读出放大器的驱动开关装置中至少有一个提供给每个存储单元列或存储单元行单元，

其中，上述第一开关装置包括：

第一位线均衡电路提供给每个上述存储单元的列或存储单元行，用来把上述公共信线对的电位一同耦合到从相应的上述电源互连提供门第三电源的电位，

第一读出放大器预充电电路，提供给上述每个存储单元列或存储单元行单元，用来把连接到上述每个读出放大器的第一电源输入节点的互连，和连接到上述每个读出放大器的第二电源输入节点的互连组成的互连对一起连接到由一个相应的电源互连提供的第三电源电位。

3.根据权利要求2所述半导体存储件，还包括：

用来把上述存储单元的存储信息传送到外部输出引线的输入/输出的数据线，

把上述输入/输出数据线连接到上述位线对的位线对选择开关装置，

其中，所述位线对选择开关装置包括：

第一N沟道MOSFET，其源极耦合到上述第一电位，

第二N沟道MOSFET，其源极连接到上述第一N沟道的漏极，并且把其漏极连接到上述输入/输出数据线，

其中，上述第一N沟道MOSFET和第二个N沟道MOSFET中的一个具有供给外部输入/输出控制信号的栅极，另一个具有连接到上述位线的栅极。