[发明专利]针状导电的锡氧化物细粒及其制造方法

权利要求书

1.制造具有平均直径为0.005-1微米、平均长度为0.05-10微米及长度直径比为3或更高的针状导电锡氧化物细粒的方法，该方法包括在700-1200℃灼烧含锡、硅和碱金属卤化物的起始材料并从得到的灼烧过的产物中除去可溶性盐；或向平均直径为0.005-1微米、平均长度为0.05-10微米和长径比为3或更高的针状导电锡氧化物细粒的悬浮液添加锑化合物溶液，然后进行中和使水合氧化锑沉积在锡氧化物细粒表面，其后，在700-1000℃灼烧过滤后并回收的产物。

2.根据权利要求1的方法，其中，起始材料中以SiO₂表示的硅含量为0.3-20％，以SnO₂重量计。

3.根据权利要求1的方法，其中，用无机酸介质处理灼烧后的产物来实现可溶性盐的去除。

4.根据权利要求1的方法，其中，起始材料含锡、硅、碱金属卤化物，另外还含锑。

5.根据权利要求4的方法，其中，在起始材料中以Sb₂O₃表示的锑含量为0.1-8％，以SnO₂重量计。

6.根据权利要求4的方法，其中，起始材料中以SiO₂表示的硅含量为0.3-20％，以SnO₂重量计。

7.根据权利要求4的方法，其中用无机酸介质处理灼烧后产物来实现可溶性盐的去除。

8.根据权利要求1的方法，其中，以Sb₂O₃表示的沉积的锑含量为0.1-20％，以SnO₂重量计。

9.根据权利要求1的方法制备的针状导电锡氧化物细粒。

10.具有平均直径为0.005-1微米、平均长度为0.05-10微米及长径比为3或更高的针状导电锡氧化物细粒，该细粒的粉末电阻为10KΩcm或更低。

11.具有平均直径为0.005-1微米、平均长度为0.05-10微米及长径比为3或更高的针状导电锡氧化物细粒，该细粒含硅量以SiO₂表示为0.1-10％，以SnO₂重量计。

12.具有平均直径为0.005-1微米、平均长度为0.05-10微米及长径比为3或更高的针状导电锡氧化物细粒，该细粒含锑。

13.具有平均直径为0.005-1微米、平均长度为0.05-10微米及长径比为3或更高的针状导电锡氧化物细粒，该细粒的粉末电阻为1KΩcm或更低，其L^*值为80-90。

14.具有平均直径为0.005-1微米、平均长度为0.05-10微米及长径比为3或更高并含锑的针状导电锡氧化物细粒，其中锑含量以Sb/Sn比率计为0.1/100-20/100。

15.具有平均直径为0.005-1微米、平均长度为0.05-10微米及长径比为3或更高并含锑的针状导电锡氧化物细粒，该细粒含硅量以SiO₂表示为0.1-10％，以SnO₂重量计。

16.将权利要求9的针状导电锡氧化物细粒在水分散体中的应用。

17.将权利要求12的含锑的针状导电锡氧化物细粒在水分散体中的应用。

18.权利要求9的针状导电锡氧化物细粒在导电组合物中的应用。

19.权利要求12含锑的针状导电锡氧化物细粒在导电组合物中的应用。