[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

一个存储单元阵列，它包括按XY方向配置成阵列形式的存储单元；

其特征在于，还包括：

一个用于存储在由所述存储单元阵列中每一个均由一个X地址和一个Y地址定义的存储单元中的缺陷位存储单元的至少X地址的装置；以及

地址装置，用于当从外部输入与所述缺陷位的地址相对应的一个X地址Xe时，产生一个地址Xe+m(m为正的或负的整数)，作为一个内部地址，并且当大于Xe的X地址Xl被从外部输入时，产生一个地址Xl+m(m为正的或负的整数)，作为一个内部地址。

2.一种半导体存储装置，包括：

一个存储单元阵列，它包括按XY方向配置成阵列形式的存储单元；

其特征在于，还包括：

一个用于存储在由所述存储单元阵列中由X地址和Y地址定义的存储单元中的缺陷位存储单元的至少X地址的装置；以及

地址装置，用于当从外部输入与所述缺陷位的地址相对应的X地址Xe时产生一个地址Xe+m(m为正或负整数)，用作内部地址；

其中，所述地址装置包括用于产生地址Xl的装置，该装置在上述存储单元阵列中存在多个缺陷位、且所述X地址为自低位起的Xej(j＝1、2…)的情况下，当作为外部地址输入从X0到Xe1-1的地址Xl时产生与内部地址相同的地址Xl作为内部地址、而当作为内部地址输入从Xej-(j-1)到Xe(j+1)-(j+1)的地址时产生外部地址加“j”后的地址Xl+j作为内部地址。

3.一种半导体存储装置，包括一个具有按XY方向配置成阵列形式的存储单元的存储单元阵列，

其特征在于：它还包括用于存储缺陷位存储单元的X地址和Y地址的存储装置；

根据缺陷位的分布偏向情况选择应进行地址移位动作的地址X、Y中的任意一个的装置；

以及当从外部输入与缺陷位地址相对应的上述选择出的X地址Xe或Y地址Ye时产生作为内部地址的地址Xe+m或Ye+m(m为正或负的整数)的装置。

4.一种半导体存储装置，包括：

一个存储器单元阵列，该阵列具有至少在X方向配置成阵列形式的存储单元；

其特征在于，还包括一个在将从外部输入的X地址变换为内部X地址时用于任意规定不能被访问的内部X地址的地址变换电路；

用于存储多个缺陷地址的装置；

用于将所述多个缺陷地址和从所述外部输入的X地址比较的装置；以及

用于输出一定数量的等于或小于从所述外部输入的X地址的缺陷地址的装置。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于，所述地址变换电路包括将等于或小于从所述外部输入的地址的该一定数量的缺陷地址加到外部地址上，以产生该内部地址的装置。

6.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于，用于输出缺陷地址的所述装置具有用于存储一个位缺陷地址的装置，缺陷地址的数量等于或小于从所述外部缺陷地址输出的X地址。

7.一种半导体存储装置，包括：

一个存储单元阵列，该阵列具有至少在X方向配置成阵列形式的存储单元；

其特征在于，它还包括：

在将从外部输入的X地址变换为内部X地址时，用于任意规定不能被访问的内部X地址的地址变换电路；其中

所述地址变换电路包括用于在将从外部输入的X地址变换到内部X地址的过程中，当输入与该任意定义的地址相对应的外部地址时产生预先存储的内部X地址的装置。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其特征在于，进一步包括：

用于存储缺陷地址的装置；

用于将外部地址与所述缺陷地址相比较的装置；以及

用于当所述外部地址与所述缺陷地址一致时输出一个预先给定的内部地址到一个内部地址总线的装置。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于，所述缺陷地址存储装置包括以电气方法或激光束切断的熔丝。