[发明专利]调整微波双相相移键控调制器及混频器的装置和方法无效
申请号: | 95120336.3 | 申请日: | 1995-10-25 |
公开(公告)号: | CN1142147A | 公开(公告)日: | 1997-02-05 |
发明(设计)人: | 西田正和 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H04L27/20 | 分类号: | H04L27/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 邹光新,王岳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调整 微波 相移 键控 调制器 混频器 装置 方法 | ||
1.一种微波双相相移键控调制器,它包括:
平衡/不平衡变换器部分,包括输入或输出微波信号的不平衡线和将来自所述不平衡线的信号变换成平衡信号的平衡线;
合成/分支线部分,它设在所述平衡/不平衡变换器部分的平衡线端部,并输出所说的平衡信号,作为合成信号,或者输入微波信号,作为分支信号;
一对二极管安装线,它们设在平衡线的端部;
一个或多个调制特性调整电容性短截线;它们设在靠近所述林对二极管安装线的端部附近;
一对二极管,它们安装在所述一对二极管安装线的端部;
一对连接到所述二极管对并输入调制信号的线,所述调制信号使所述平衡信号受到两相调制处理。
2.一种如权利要求1所述的微波双相相移键控调制器,它被安装在构成绝缘衬底的多层之内层上,具有从表面层开到所述内层的窗口,该内层支承所述调制特性调整的电容性短截线和所述一对二极管。
3.一种如权利要求1所述的微波双相相移键控调制器,其特征在于:由金属线建立所述二极管安装线、所述调制特性调整的电容性短截线和所述一对二极管之间的连接。
4.一种如权利要求3所述的微波双相相移键控调制器,其特征在于:部分或者全部电容性短载线事先被金属线所连接。
5.一种如权利要求1所述的微波双相相移键控调制器,其特征在于所述平衡/不平衡短截线变换器部分由马俭平衡-不平衡转换器组成,所述平衡线和所述不平衡线每个长度都约为λ/4,其中λ是所述微波信号中心频率的波长。
6.一种如权利要求1所述的微波双相相移键控调制器,其特征在于:所述调制性调整的电容性短截线包括至少两个金属片,它们具有一组2的倍数的面积比率。
7.一种如权利要求1所述的微波双相相移键控调制器,其特征在于:所述绝缘衬底具有层状结构,以致所述平衡线和其它构件均可被安装在该层状结构的分离层上。
8.一种如权利要求1所述的微波双相相移键控调制器,其特征在于:所述合成/分支线部分具有长度为约λ/4。
9.一种微波混频器,它包括:
平衡/不平衡变换器部分,包括输入或输出微波信号的不平衡线和将来自所述不平衡线的信号变换成平衡信号的平衡线;
合成/分支线部分,它设在所述平衡/不平衡变换器部分的平衡线端部,并输出所说的平衡信号,作为合成信号,或者输入微波信号,作为分支信号;
一对二极管安装线,它们设在平衡线的端部;
一个或多个调制特性调整电容性短截线,它们设在靠近所述一对二极管安装线的端部附近;
一对二极管,它们被按相反的方向安装在所述一对二极管安装线的端部;
被连到所述一对二极管的线,它输入工IF信号,产生平衡调制波。
10.一种如权利要求9所述的微波混频器,它被安装在构成绝缘衬底的多层之内层上,具有从表面层开到所述内层的窗口,该内层支承所述调制特性调整的电容性短截线和所述一对二极管。
11.一种如权利要求9所述的微波混频器,其特征在于:由金属线建立所述二极管安装线、所述调制特性调整的电容性短截线和所述一对二极管之间的连接。
12.一种如权利要求11所述的微波混频器,其特征在于:部分或者全部电容性短截线事先被金属线所连接。
13.一种如权利要求9所述的微波混频器,其特征在于:所述平衡/不平衡短截线变换器部分由马俭平衡-不平衡转换器组成,所述平衡线和所述不平衡线每个长度都约为λ/4,其中λ是所述微波信号中心频率的波长。
14.一种如权利要求9所述的微波混频器,其特征在于:所述调制特性调整的电容性短截线包括至少两个金属片,它们具有一组2的倍数的面积比率。
15.一种如权利要求9所述的微波混频器,其特征在于:所述绝缘衬底具有层状结构,以致所述平衡线和其它构件均可被安装在该层状结构的分离层上。
16.一种如权利要求9所述的微波混频器,其特征在于:所述合成/分支线部分具有长度约为λ/4。
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