[发明专利]制备半导体器件中的电容器电荷储存电极的方法

说明书

本发明涉及制备半导体器件中的电容器电荷储存电极的方法，特别是增大在动态随机存贮器(DRAM)电池中的电荷储存电极电容量的电容器电荷储存电极的制备方法。

一般说来，为了增加电荷储存电极的有效面积，用于制取DRAM电池的常用方法是采用叠层电容，即通过在位线上形成电容。

尽管DRAM电池有各种各样的发展，但是要使电容器达到具有足够的有效面积还是有困难的，因为半导体器件已高度集成化了。

为了解决上述的问题，本发明的一个目的就是提供一种通过增加电荷储存电极的有效面积来制备具有高电容量的电容器的方法。

根据本发明的一个方面，制备电荷储存电极的方法包含的步骤有：制备一个通过接触孔使有源区暴露出来的基片；在所说接触孔中充满含氧的非晶硅层；热处理所述非晶硅层，使非晶硅层结晶成多孔的多晶硅层，并在多孔的多晶硅层间形成含氧的副产物；然后对合氧的副产物施行一种湿蚀工艺，从而使多孔的多晶硅层用作电荷储存电极。

本发明的上述和其它方面及优点将结合以下附图加以说明，附图中：

图1A至1C是阐明本发明制备电容器方法的横截面视图。

下面对本发明的一个实施例参照图1A至1C加以说明。

首先，在图1A中，1表示硅基片，2是保留的氧化物层，3是有源区，4是栅电极，5是绝缘层，6是位线，7是另一绝缘层，8是和有源区3接触的非晶硅层。

形成图1A结构的方法，对于电荷储存电极方面的一般技术人员来说是熟知的。本发明的特征在于电荷储存电极由非晶硅层8制成。特别是该非晶硅层8含氧。这一非晶硅层8是由SiH₄(硅烷)和N₂O气在500℃至700℃的温度下形成的。

氧相对于硅原子的比例必须在10％至30％之间。该非晶硅层在850℃至1150℃下在N₂气氛下热处理4至6小时。然后，非晶硅层结晶成多晶硅层9，而含氧副产物如SiO₂或SiOx就形成在多晶硅层9中，如图1B所示。

最后，如图1C所示，对含氧副产物施行一种采用HF作腐蚀剂的湿蚀工艺，多孔多晶硅层也就制成了，并可在DRAM电池中用作电荷储存电极。

正如以上所述，通过形成多孔多晶硅层，本发明对高集成度半导体器件的电荷储存电极有效面积的增加具有明显效果。

尽管为了阐明本发明而披露了优选实施例，但本技术领域的技术人员可以理解，在不超出后附权利要求的范围和实质的情况下，可以作出各种变更、添加和替换。