[发明专利]确定化合物半导体层临界薄膜厚度及制造半导体器件

权利要求书

1.一种确定化合物半导体层的临界薄膜厚度的方法，包括如下步骤：

通过测量与薄膜厚度相对应的一种化合物半导体层的荧光，得到该化合物半导体层的薄膜厚度与测得的荧光强度之间的关系；

将在所述关系中所述荧光强度达到峰值时的所述薄膜厚度定为临界薄膜厚度。

2.如权利要求1所述的确定化合物半导体层薄膜厚度的方法，其中所述化合物半导体层由至少包含镉的II—VI族化合物半导体构成。

3.如权利要求2所述的确定化合物半导体层薄膜厚度的方法，进一步包括如下步骤：

对于所述镉组分比例来说，分别确定所述化合物半导体层的薄膜厚度与对应于该薄膜厚度的荧光强度之间的关系；

将上述关系中荧光强度达到峰值时的薄膜厚度定为相对于每一种镉组分比例的临界薄膜厚度。

4.如权利要求3所述的确定化合物半导体层薄膜厚度的方法，进一步包括如下步骤：

通过测量各个不同镉组分比例下的荧光强度，确定化合物半导体层的临界薄膜厚度；和

确定出一个方程，该方程以镉组分比例为变量，近似地表述了与每一种镉组分比例相对应的临界薄膜厚度。

5.一种用于制造半导体器件的方法，该半导体器件具有在一个半导体基底上形成的迭层，该迭层由至少包含镉的II—VI族化合物半导体层构成，所述方法包括如下步骤：

确定薄膜厚度与对应于该薄膜厚度的化合物半导体层的荧光之间的关系；和

将上述关系中所述荧光达到峰值时的薄膜厚度定为临界薄膜厚度，当通过在所述半导体基底上层迭II—VI族化合物半导体层来制造所述半导体器件时，使得所述化合物半导体层的厚度等于或小于所述临界薄膜厚度。

6.如权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其中所述半导体器件为光学半导体器件。

7.如权利要求6所述的制造半导体器件的方法，其中所述II—VI族化合物半导体层是一种半导体激光器件的有源层。