[发明专利]高磁通密度低铁损晶粒取向的电磁钢板及其制造方法无效

专利信息
申请号: 95121635.X 申请日: 1995-12-05
公开(公告)号: CN1071799C 公开(公告)日: 2001-09-26
发明(设计)人: 井口征夫 申请(专利权)人: 川崎制铁株式会社
主分类号: C22C38/06 分类号: C22C38/06;C21D8/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨丽琴
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 高磁通 密度 低铁损 晶粒 取向 电磁 钢板 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种高磁通密度低铁损的晶粒取向电磁钢板,其组成含有:

Si:2.5~4.0重量%,

Al:0.005~0.06重量%其特征在于,

ⅰ)该钢板的各个晶粒之中,按面积率计,至少95%是由直径为5-50mm的粗大的二次再结晶晶粒组成的,其具有的[001]轴相对于该钢板的轧制方向在5°以内,而其具有的[110]轴相对于板面垂直方向在5°以内;

ⅱ)在这种粗大的二次再结晶晶粒中或者晶界中,存在直径为0.05-2mm的细小晶粒,其[001]轴与粗大的二次晶粒的[001]轴的相对角度为2-30°。

2.根据权利要求1所述的高磁通密度低铁损的晶粒取向电磁钢板,其组成含有:

Si:2.5~4.0重量%,

Al:0.005~0.06重量%,此外还含有

Sb:0.005~0.2重量%。

3.根据权利要求1所述的高磁通密度低铁损的晶粒取向电磁钢板,其组成含有:

Si:2.5~4.0重量%、

Al:0.005~0.06重量%、此外还含有

Sb:0.005~0.2重量%、和

Mo:0.003~0.1重量%。

4.根据权利要求1、2或者3中任一项所述的高磁通密度低铁损的电磁钢板,用(α、β、γ)角表示细晶粒的结晶方位,满足α≥2°,而且α≥1.5β以及α≥1.5γ。

5.一种权利要求1所述高磁边密度低铁损的晶粒取向电磁钢板的制造方法,它包括以下步骤:对含有:

Si:2.5~4.0重量%

Al:0.005~0.06重量%的组成的晶粒取向电磁钢板所用钢坯,进行热轧;然后通过一次冷轧或者插有中间退火的二次冷轧,轧至最终成品板厚;之后进行脱碳·一次再结晶退火;接着在钢板表面涂覆以MgO为主成分的退火分离剂,然后进行由二次再结晶退火和纯化退火组成的最终退火;其特征在于,

在上述脱碳·一次再结晶退火步骤中,以10℃/分以上的速度从450℃急速加热至预定的800~880°温度范围的保温温度;在进行最终精退火之前,先使退火气氛成为露点为-20℃以下的氮气气氮,以进行渗氮处理。

6.根据权利要求5所述高磁通密度低铁损的晶粒取向电磁钢板的制造方法,其特征在于,所述渗氮处理是在脱碳·一次再结晶退火的后半段进行。

7.根据权利要求5所述高磁通密度低铁损的晶粒取向电磁钢板的制造方法,其特征在于,所述渗氮处理是在所述脱炭·1次再结晶退火步骤完了之后进行。

8.根据权利要求5-7中任何一项所述高磁通密度低铁损的晶粒取向电磁钢板的制造方法,其特征在于,通过渗氮处理使钢板表层部位的氮浓度提高至20-200ppm。

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