[发明专利]陶瓷膜结构体及其制造方法

权利要求书

1.一种陶瓷膜结构体包括：

一具有至少一个窗口部分的陶瓷基体；和

一被层压以便覆盖所说窗口部分的陶瓷薄膜片，

其中整体形成所说的陶瓷膜结构体以便使陶瓷薄膜部分在所说的窗口部分的相反方向上凸出，并且陶瓷连接层将所说的陶瓷薄膜片连接到所说的陶瓷基体上。

2.权利要求1的陶瓷膜结构体，其中所说的陶瓷膜片由选自于稳定氧化锆、部分稳定氧化锆、氧化铝和它们混合物的材料组成。

3.一种权利要求1或2的陶瓷膜结构体，其中各个所说的陶瓷基体，所说的陶瓷膜片和所说的陶瓷连接层的平均晶体颗粒尺寸是5μm或更小。

4.权利要求1-3任何之一的陶瓷膜结构体，其中所说的膜部分具有30μm或更小的厚度。

5.权利要求1-4任何之一的陶瓷膜结构体，其中所说的陶瓷连接层具有50μm或更小的厚度。

6.权利要求1-5任何之一的陶瓷膜结构体，其中所说的膜部分由相对密度至少为90％的致密材料组成。

7.一种制造陶瓷膜结构体的方法，包括步骤：

制备一基体陶瓷坯；

在所说的基体陶瓷坯上形成一具有一预定厚度的连接层陶瓷坯；

在其上具有所说的连接层陶瓷坯的所说的基体陶瓷坯上形成至少一个窗口部分；

制备一具有预定厚度的薄片陶瓷坯；

通过在具有至少一个窗口部分的所说基体陶瓷坯上层压所说的片陶瓷坯以覆盖在连接层陶瓷坯一侧的窗口部分来制备整体形成的层压体；

烧成所说层压体以获得整体烧结体，其中在所说的基体陶瓷坯的窗口部分上形成一薄膜部分，并且在烧成所说的层压体的同时，所说的膜部分在所说的窗口部分的相反方向上凸出。

8.权利要求7的制造陶瓷膜结构体的方法，其中调整所说的基体陶瓷坯，所说的片陶瓷坯和所说的连接层陶瓷坯以便使中等烧结温度和收缩率满足公式：

S(基体)－S(片)≥-0.08{T(基体)－T(片)}－1

0≤T(基体)－T(片)≤300

S(基体)－S(片)≤20和

300≥T(基体)－T(连接层)≥20或

-350≤T(基体)－T(连接层)≤-50

式中S(基体)和S(片)代表当在与所说层压体烧成温度相同的温度下分别烧成所说基体陶瓷坯、所说片陶瓷坯时，沿表面方向上的收缩率(％)、T(基体)、T(片)和T(连接层)代表当在与所说层压体烧成温度相同的温度下分别烧成所说基体陶瓷坯、所说片陶瓷坯和所说连接层陶瓷坯时且当沿表面方向上的收缩率(％)达到70％时的烧成温度(℃)。

9.权利要求7或8制造陶瓷膜结构体的方法，其中所说片陶瓷坯由选自完全稳定的氧化锆材料、部分稳定的氧化锆材料、氧化铝材料和含有它们的混合物的材料的材料组成，该材料的平均颗粒直径为0.05-1.0μm。