[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1、一种半导体器件的制造方法，包括下述工艺步骤：在具有源、漏和栅有源电极的半导体衬底上淀积第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成导电层图形以构成位线；

淀积完全覆盖所述第一绝缘层和位线图形的第二绝缘层；

在第二绝缘层上，分别地顺序淀积有不同腐蚀速率的第三和第四绝缘层；

给所述第四和第三绝缘层加掩模并且腐蚀，形成剖面为T形的图形，其中第四绝缘层与T形图形的头部对应，第三绝缘层与T形图形的腿部对应，其中T形图形包括第一组构成位线接点的图形和第二组构成存储节接点的图形；

在T形绝缘层图形的侧壁处形成多晶硅间隔层；

在包括T形绝缘层图形的制成结构的整个表面上淀积第五绝缘层；

在第一组T形图形上的所述第五绝缘层上形成第一光致抗蚀剂掩模图形，用于形成位线接触孔；

用所述第一光致抗蚀剂掩模，蚀刻所述第五绝缘层和第一组T形绝缘层图形，用多晶硅间隔层作腐蚀阻挡层，蚀刻所述第二绝缘层，用蚀刻后的第二绝缘层作腐蚀阻挡层，蚀刻位线图形，用该蚀刻的位线作腐蚀阻挡层，腐蚀第一绝缘层，由此构成位线接触孔；

在包括所述位线接触孔的第五绝缘层的整个表面上淀积导电材料，并使之形成图形；

在第五绝缘层和所述导电材料图形的整个表面上淀积第六绝缘层；

在另一组T形图形上的所述第六绝缘层上形成第二光致抗蚀剂图形，用于构成存储节连接孔；

用所述第二光致抗蚀剂掩模，蚀刻所述第六和第五绝缘层及第二组T形绝缘层图形，用多晶硅间隔层作腐蚀阻挡层，蚀刻第二和第一绝缘层，由此构成存储节连接孔。

2、根据权利要求1所述的方法，其中，所述位线是多晶硅。

3、根据权利要求1所述的方法，其中，所述位线是硅化物。

4、根据权利要求1所述的方法，其中，所述位线是多晶硅化物和多晶硅的双层结构。

5、根据权利要求3所述的方法，其中，所述硅化物是用难熔金属制成的。

6、根据权利要求4所述的方法，其中，所述的多晶硅化物是由难熔金属制成的。

7、根据权利要求1所述的方法，其中，所述位线接点材料的构图步骤代之以用掩蔽腐蚀方法腐蚀淀积的多晶硅的步骤。

8、根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三绝缘层的腐蚀速率高于所述第四绝缘层的腐蚀速率。

9、根据权利要求1所述的方法，其中，所述多晶硅间隔层主要是氮化硅。

10、根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一光致抗蚀剂掩模图形中的开口宽度范围是M＜M′≤M+2b，式中M是T形绝缘层图形中的头部宽度，M′是构成位线接触孔用的第一掩模图形的宽度，与第二绝缘层接触的多晶硅间隔层的部分的宽度是M+2b，2b是间隔层的宽度减去T形图形的头部的宽度。

11、根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二光致抗蚀剂掩模图形中的开口宽度范围是M＜M″≤M+2b，式中M是构成存储节接触孔的T形绝缘层图形中的头部宽度，M″是第二掩模图形的宽度，M+2b是与第二绝缘层接触的多晶硅间隔层部分的宽度，2b是间隔层的宽度减去T形图形的头部的宽度。