[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 95190765.4 | 申请日： | 1995-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN1063579C | 公开（公告）日： | 2001-03-21 |
| 发明（设计）人： | 石田芳弘;大森义信;池田家信;寺嶋一彦;丰田刚士 | 申请（专利权）人： | 西铁城时计株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L21/58 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1．一种半导体装置，包括：具有用于安置IC芯片在树脂基板上形成的管芯图形和用于连接所述IC芯片各电极在树脂基板上形成的连接电极的电路基板；和
由树脂封装安置在该电路基板上的IC芯片；
其特征在于
所述管芯图形其外形大于所述IC芯片的外形，
还包括，有机绝缘性膜，覆盖所述管芯图形上，其外形小于所述管芯图形，并且覆盖到相对于所述IC芯片角部分的电路基板上，在其上管芯键合焊接，
所述IC芯片的电源键合引线，与从所述管芯图形的所述有机绝缘性膜露出的部分连接。
2．根据权利要求1的半导体装置，其特征在于，上述管芯图形具有：形成于安装上述IC芯片的位置的中央部分附近的主图形、形成于安装上述IC芯片位置的外侧的键合图形及电连接上述主图形和键合图形的结合图形；上述有机绝缘性膜覆盖于上述键合图形的内侧。
3．根据权利要求2的半导体装置，其特征在于，上述键合图形配置于包围上述主图形的四周，上述结合图形是从上述主图形到键合图形呈辐射状配置。
4．根据权利要求3的半导体装置，其特征在于，上述结合图形配置于上述IC芯片的角部以外的部分。
5．根据权利要求2的半导体装置，其特征在于，覆盖的上述有机绝缘性膜使上述主图形露出一部分。
6．根据权利要求3的半导体装置，其特征在于，形成的上述有机绝缘性膜呈大致覆盖上述结合图形的形成区域的圆周状。
7．根据权利要求3的半导体装置，其特征在于，形成的上述有机绝缘性膜覆盖对应于上述结合图形的形成区域的上述IC芯片的角部的部分。
8．根据权利要求2的半导体装置，其特征在于，上述有机绝缘性膜是镀制成的保护膜，在没有用该镀制保护膜覆盖的电极图形上镀有金镀膜。
9．根据权利要求8的半导体装置，其特征在于，上述镀制的保护膜是显影型液状焊料保护膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
