[发明专利]使用自举二极管仿真器的桥式电路的驱动电路

权利要求书

1.一种用于驱动桥式电路的驱动电路，包括连接在一个输出端和一个高压直流电源的相应的低和高轨之间的低和高晶体管，并用于为一个具有第一和第二端的自举电容—该电容的第一端连接到上述的输出端—充电，所述的驱动电路包括：

用于在电源输出端产生一个相对于所述低轨的控制电压的电源装置；

一个连接到电源输出端的低驱动模块，该模块被所述的控制电压供电并包括为低晶体管的控制电极提供一个低驱动控制信号使低晶体管交替导通和截止的装置；

一个适于连接到自举电容的高驱动模块，该模块被一个自举电压通过所述的自举电容供电并包括为高晶体管的控制电极提供一个高驱动控制信号使高晶体管交替导通和截止的装置；和

用于将上述自举电容充电到自举电压的自举二极管仿真装置，该自举二极管仿真装置包括一个LDMOS晶体管，该LDMOS晶体管具有连接到上述的电源输出端的源极、适于连接到自举电容的第二端的漏极、通过负载控制电路连接到低驱动模块，在低驱动晶体管被置于导通状态时将所述的LDMOS晶体管置于导通状态的栅极、和一个背栅极，具有一个连接到所述背栅极的寄生电容，其中偏置和限制装置连接到背栅极用于在限制上述寄生装置从上述自举电容分走的电流时偏置晶体管的背栅极。

2.如权利要求1的驱动电路，其中所述的偏置和限制装置包括一个箝位晶体管和连接到所述背栅极的一个电流源。

3.如权利要求2的驱动电路，其中所述的电流源包括一个电流镜象。

4.如权利要求1，2或3的驱动电路，其中所述的负载控制电路包括一个用于产生一个电压范围在所述低轨和所述控制电压之间的缓冲输出信号的缓冲器和变换所述缓冲输出信号的电压范围到连接到所述栅极的一点和所述高源极之间的电压差的范围的装置。

5.如权利要求4的驱动电路，其中所述的变换装置包括容性装置。

6.如权利要求1，2，3或5任意之一所述的驱动电路，其中所述的负载控制电路还包括对应于流入连接在漏极和栅极之间的所述的LDMOS晶体管的密勒电容的置换电流，将所述的栅极箝位至所述的LDMOS晶体管的源极的装置。

7.如权利要求6的驱动电路，其中所述的将所述的栅极箝位至所述的源极的装置包括一个(PNP)晶体管。

8.如权利要求1，2，3，5或7任意之一所述的驱动电路，其中的容性装置连接于所述的LDMOS晶体管的背栅极和源极之间。

9.如权利要求1，2，3，5或7任意之一所述的驱动电路，其中所述的驱动电路被集成在一个单一芯片中。

10.操作一个灯的镇流电路包括一个桥电路和一个驱动电路，其中所述驱动电路包括连接在一个输出端和一个高压直流电源的相应的低和高轨之间的低和高晶体管，并用于为一个具有第一和第二端的自举电容—该电容的第一端连接到上述的输出端—充电，所述的驱动电路包括：

用于在电源输出端产生一个相对于所述低轨的控制电压的电源装置；

一个连接到电源输出端的低驱动模块，该模块被所述的控制电压供电并包括为低晶体管的控制电极提供一个低驱动控制信号使低晶体管交替导通和截止的装置；

一个适于连接到自举电容的高驱动模块，该模块被一个自举电压通过所述的自举电容供电并包括为高晶体管的控制电极提供一个高驱动控制信号使高晶体管交替导通和截止的装置；和

用于将上述自举电容充电到自举电压的自举二极管仿真装置，该自举二极管仿真装置包括一个LDMOS晶体管，该LDMOS晶体管具有连接到上述的电源输出端的源极、适于连接到自举电容的第二端的漏极、通过负载控制电路连接到低驱动模块，在低驱动晶体管被置于导通状态时将所述的LDMOS晶体管置于导通状态的栅极、和一个背栅极，具有一个连接到所述背栅极的寄生电容，其中偏置和限制装置连接到背栅极用于在限制上述寄生装置从上述自举电容分走的电流时偏置晶体管的背栅极。