[发明专利]涂有非晶体硼保护层的光纤及其沉积该层的方法

权利要求书

1.一种光纤(1)，包括包围在光纤包层(3)中的纤芯(2)，纤芯和包层都由基于氧化硅的材料制成，和一个由非晶体硼构成的保护层(5)，该光纤的特征在于硼保护层(5)沉积在非晶碳层上，非晶碳层(4)本身直接沉积在光纤包层(3)上。

2.根据权利要求1的光纤，其特征在于，硼层(5)的厚度在10nm和200nm范围内，尽量为100nm。

3.根据权利要求1的光纤，其特征在于所述硼层(5)的厚度约为100nm。

4.根据权利要求1的光纤，其特征在于，所述硼层掺杂有硅。

5.根据权利要求1的光纤，其特征在于，硼层(5)由树脂涂层层(6)覆盖，其厚度小于50微米。

6.一种在包括包围在光纤包层里的纤芯的光纤上沉积非晶硼层(5)的方法，纤芯(2)和光纤包层(3)都由基于氧化硅的材料制成，该方法的特征在于，包括在光纤上沉积碳层(4)的步骤，然后跟随用氢气(H2)还原硼卤化物，由蒸气相在所述碳层(4)上化学沉积非晶硼保护层(5)的步骤(15)。

7.根据权利要求5的方法，其特征在于硼卤化物是氯化硼。

8.根据权利要求6的方法，其特征在于硼沉积(15)在1050～1250℃温度范围内进行。

9.根据权利要求6的方法，其特征在于硼卤化物和氢气的摩尔浓度比为1/20～2/3之间。

10.根据权利要求6的方法，其特征在于碳和硼的沉积与光纤拉引一起进行，所述光纤的运动速度在沉积期间不小于100m/min。

11.根据权利要求6的方法，其特征在于，硼沉积(15)以大气的压力下进行。

12.根据权利要求6的方法，其特征在于，从SiH₄、SiH₃Cl、SiH₂Cl₂、SiHCl₃或SiCl₄选择的硅的气态母体，加到初始反应混合物中。