[发明专利]离子敏感场效应晶体管传感器的静电放电保护设备及方法无效
申请号: | 95191279.8 | 申请日: | 1995-01-12 |
公开(公告)号: | CN1120985C | 公开(公告)日: | 2003-09-10 |
发明(设计)人: | 罗纳德·D·巴克斯特;詹姆斯·G·康纳里;约翰·D·福格尔;斯潘塞·W·西尔弗索恩 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔公司 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30;H01L21/70 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蹇炜 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 敏感 场效应 晶体管 传感器 静电 放电 保护 设备 方法 | ||
【权利要求书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔公司,未经霍尼韦尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/95191279.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。