[发明专利]降低了光栅畸变的偏转线圈系统

权利要求书

1.一种安装在阴极射线管的颈部的偏转线圈系统，包括：

由磁性材料制成的一个铁芯；

一水平偏转线圈，置于所述铁芯附近，用于产生水平偏转磁场；以及

一垂直偏转线圈，置于所述铁芯附近，用于产生垂直偏转磁场，线圈包括一对鞍形线圈，每个鞍形线圈具有多匝绕线以形成沿所述偏转线圈系统的纵向延伸的第一和第二侧部、置于所述第一和第二侧部之间靠近所述偏转线圈系统的屏幕端的一前端匝部分以及置于所述侧部之间远离所述屏幕端的后端匝部分，所述后端匝部分的形成方式是，将其所有匝的绕线的主要部分集中在靠近所述电子枪端以便使在包括所述后端匝部分的所有匝绕线的50％的所述后端匝部分中包括最靠近所述电子枪端的绕组在内的一个区域长度，和所述垂直偏转磁场的有效长度之间的比保持小于0.15，从而使得垂直偏转中心相对于水平偏转中心向所述偏转线圈系统的电子枪侧偏移以致于将所述偏转中心分开的一第一长度和所述垂直偏转磁场的所述有效长度间的比大于0.09，从而显著地减少光栅畸变。

2.根据权利要求1所述的偏转线圈系统，其中所述垂直偏转磁场的偏移减少了枕形畸变，因而不需采用北-南磁铁。

3.根据权利要求1所述的偏转线圈系统，另外还包括在所述偏转线圈系统的Y轴的相对端上的一对分路器，每个分路器具有梯形形状以增强场分布函数V₂(Z)。

4.根据权利要求1所述的偏转线圈系统，其中所述后端匝部分包括靠近所述电子枪端的第一部分和远离所述电子枪端的第二部分，在第一部分和第二部分之间有一间隙，从而所述绕线匝的主要部分都包括在所述第一部分内。

5.根据权利要求4所述的偏转线圈系统，其中，所述第二部分的所述绕线匝用于减少内部高阶像差。

6.安装在阴极射线管的颈部的偏转线圈系统，包括：

由磁性材料制成的一个铁芯；

一水平偏转线圈，置于所述铁芯附近，用于产生水平偏转磁场；以及

一垂直偏转线圈，置于所述铁芯附近，用于产生垂直偏转磁场，线圈包括一对鞍形线圈，每个鞍形线圈具有多匝绕线以形成沿所述偏转线圈系统的纵向延伸的第一和第二侧部、置于所述第一和第二侧部之间靠近所述偏转线圈系统的屏幕端的一前端匝部分以及置于所述侧部之间远离所述屏幕端的后端匝部分，所述后端匝部分的形成方式是，将其所有匝的绕线的主要部分集中在靠近所述电子枪端以便使在包括所述后端匝部分的所有匝绕线的50％或以上的所述后端匝部分中包括最靠近所述电子枪端的绕组在内的一个区域长度，和所述垂直偏转磁场的有效长度之间的比保持小于0.15，以便沿纵向轴场分布函数V₀(Z)产生峰值的点和场分布函数H₀(Z)发生峰值的点分开的距离和所述垂直偏转磁场的有效长度之间的比大于0.06。

7.根据权利要求6所述的偏转线圈系统，其中所述垂直偏转磁场的位移减少了枕形畸变且不需采用北-南磁铁。

8.安装在具有35V或更大和纵横比为4∶3的平面荧光屏屏幕的阴极射线管的颈部的偏转线圈系统，包括：

由磁性材料制成的一个铁芯；

一水平偏转线圈；置于所述铁芯附近，用于产生水平偏转磁场；以及

一垂直偏转线圈，置于所述铁芯附近，用于产生一垂直偏转磁场，线圈包括一对鞍形线圈，每个鞍形线圈具有多匝绕线以形成沿所述偏转线圈系统的纵向延伸的第一和第二侧部、置于所述第一和第二侧部之间靠近所述偏转线圈系统的屏幕端的一前端匝部分以及置于所述侧部之间远离所述屏幕端的后端匝部分，所述后端匝部分的形成方式是，将其所有匝的绕线的主要部分集中在靠近所述电子枪端以便使在包括所述后端匝部分的所有匝绕线的50 ％或以上的所述后端匝部分中包括最靠近所述电子枪端的绕组在内的一个区域长度，和所述垂直偏转磁场的有效长度之间的比保持小于0.15，从而使得垂直偏转中心相对于水平偏转中心向所述偏转线圈的电子枪侧偏移，以致于使所述偏转中心分开的长度和所述垂直偏转磁场的有效长度间的比值大于0.09，以该方式补偿所述具有35V或更大和纵横比为4∶3的平面荧光屏的产生枕形光栅畸变的趋势，而不用北-南磁铁。