[发明专利]用阴离子交换树脂降低线型酚醛树脂溶液中的金属离子含量

权利要求书

1．采用碱性阴离子交换树脂纯化线型酚醛树脂溶液来制备不溶于水的、但溶于碱溶液的含极少量金属离子的线型酚醛树脂的方法，包括：

a)用水洗涤阴离子交换树脂，接着用无机酸溶液洗涤，再用水洗，接着用氢氧化铵溶液洗，随后用去离子水洗涤，从而将阴离子交换树脂中钠和铁离子含量各降低至低于200ppb；

b)制备线型酚醛树脂在其适用溶剂中的溶液；

c)用与溶解线型酚醛树脂相同的溶剂或至少与树脂溶剂相容的溶剂洗涤阴离子交换树脂，以基本除去所有水分；以及

d)使线型酚醛树脂溶液通过洗涤过的阴离子交换树脂床，其流率为能使溶液在床中停留时间多于10分钟，从而使线型酚醛树脂溶液中钠和铁离子含量各降低至低于100ppb。

2．权利要求1的方法，其中所述离子交换树脂中钠离子和铁离子含量被洗至各低于100ppb。

3．权利要求1的方法，其中所述离子交换树脂中钠离子和铁离子含量被洗至各低于50ppb。

4．权利要求1的方法，其中所述溶剂选自丙二醇甲醚乙酸酯、乳酸乙酯及3-乙氧基丙酸乙酯。

5．制造正性光刻胶组合物的方法，包括：

提供下列成分的混合物：1)用量足以使光刻胶组合物光敏化的光敏成分；2)按权利要求1的方法制备的线型酚醛树脂；和3)适用于光刻胶的溶剂。

6．权利要求5的方法，其中所述离子交换树脂中钠离子和铁离子含量被洗至各低于100ppb。

7．权利要求5的方法，其中所述溶剂选自丙二醇甲醚乙酸酯、乳酸乙酯及3-乙氧基丙酸乙酯。

8．将正性光刻胶组合物涂敷在适用的基材上并在基材上光学成像来制造半导体器件的方法，包括：

a)提供按权利要求5的方法制造的光刻胶组合物；

b)将光刻胶组合物涂敷在基材上；

c)加热处理涂过的基材至所有该光刻胶的溶剂基本被除去；以及

d)使光刻胶组合物曝光成像，用适用显影剂除去已曝光图像区域上的光刻胶组合物。

9．权利要求8的方法，其中所述显影剂包括碱水溶液显影剂。

10．权利要求8的方法，还包括在排除步骤前直接焙烘或排除后焙烘基材的步骤。

11．权利要求8的方法，其中线型酚醛树脂中钠离子和铁离子的含量各降至低于50ppb。

12．权利要求8的方法，其中所述离子交换树脂已洗涤至钠离子和铁离子含量各低于100ppb。

13．权利要求8的方法，其中所述制成的线型酚醛树脂中钠离子和铁离子含量各低于20ppb。

14．权利要求8的方法，其中所述溶剂选自丙二醇甲基醚乙酸酯、乳酸乙酯及3-乙氧基丙酸乙酯。

15．权利要求8的方法，其中线型酚醛树脂用溶剂与用来洗涤所述离子交换树脂的溶剂是相同的。

16．权利要求8的方法，其中线型酚醛树脂用溶剂，洗涤所述离子交换树脂的溶剂与所述光刻胶组合物用溶剂都是相同的。