[发明专利]晶体生长的改进

权利要求书

1.供晶体生长用设备包括：

供容纳供料用的熔融物料7的第一(外部)坩埚2；

第二(内部)坩埚3具有使熔融物料7从第一坩埚2进入其中的装置；

加热第一坩埚2内含物的装置5，6；

从第二坩埚3中的熔体8提拉生长晶体14的装置10；

其特征在于使熔融物料进入第二坩埚的装置包括一注入器15，该注入器是由比用于构成第二坩埚3材料导热率高的材料制成的，并且其构型能提供与第一坩埚中的熔融物料7较高的热接触而与第二坩埚的物料8较低的热接触。

2.根据权利要求1的设备，其中注入器15是冷拆卸的。

3.根据权利要求1的设备，其中使用密封剂24以改进注入器15和内坩埚3之间的密封。

4.根据权利要求1的设备，进一步包括，在第一坩埚外面的用于控制两个坩埚壁间的距离的定位装置16，17。

5.根据权利要求1的设备，其中提拉生长晶体的装置包括与第二坩埚连结的垂直可调提拉棒10，以便在晶体生长结束后可进一步提高提拉棒而使第二坩埚从第一坩埚中拉出。