[发明专利]存储器设备无效
申请号: | 95196558.1 | 申请日: | 1995-10-06 |
公开(公告)号: | CN1171855A | 公开(公告)日: | 1998-01-28 |
发明(设计)人: | 齐藤光亲;易幼文 | 申请(专利权)人: | 惠普公司 |
主分类号: | G11B9/00 | 分类号: | G11B9/00;G01N27/00;G01B7/34 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王勇,王忠忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 设备 | ||
1.一种存储器设备,包括:
一个具有在衬底表面上形成的存储器介质的衬底;
包括多个具有导电探针的探测器的探测器装置,所述导电探针具有针尖,所述导电探针用来读出在所述存储器介质内的信息和把信息写入所述存储器介质;
把所述导电探针定位在所述存储器介质表面上的预定位置处的一个定位装置,全部所述探针同时被定位;
利用所述导电探针读出存储器介质内的信息和把信息写入存储器介质的至少一个写-读电路;以及
与每一所述导电探针相关的、使所述存储器介质的表面和所述导电探针的针尖处于接触状态的一个探测器驱动电路;
其中所述探测器、所述写-读电路和所述探测器驱动电路利用单片半导体工艺彼此紧靠地在所述探测器装置上形成。
2.权利要求1的存储器设备,其中所述探测器利用静电力来驱动。
3.权利要求2的存储器设备,其中所述存储器衬底是利用静电力与所述探测器相互作用的电极。
4.权利要求1的存储器设备,其中所述探测器装置利用包括硅表层、二氧化硅中间层和硅底层的晶片来制造,而其中所述探测器利用所述晶片的所述硅表层来形成。
5.权利要求1的存储器设备,其中所述写-读电路仅当所述存储器介质的表面和所述导电探针的针尖处于接触状态时,才读出所述存储器介质内的信息或把信息写入所述存储器介质。
6.权利要求5的存储器设备,其中每一探测器驱动电路受到控制,以便在所述存储器介质的表面和所述导电探针的针尖接触时,作用于所述导电探针的针尖的排斥力不超过形成所述导电探针的材料的原子间键合力。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠普公司,未经惠普公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/95196558.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。