[发明专利]玻璃涂覆法及由此形成的带涂层的玻璃无效
申请号: | 95196798.3 | 申请日: | 1995-10-13 |
公开(公告)号: | CN1169694A | 公开(公告)日: | 1998-01-07 |
发明(设计)人: | M·J·苏贝朗德 | 申请(专利权)人: | 利比-欧文斯-福特公司 |
主分类号: | B32B17/06 | 分类号: | B32B17/06;C23C16/00;C03C17/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 卢新华,罗才希 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃 涂覆法 由此 形成 涂层 | ||
1.一种将含有二氧化硅的涂料淀积在玻璃基质上的方法,包含下列工序:
a)提供一种在升高温度下的玻璃基质,该基质具有一个涂料将淀积其上的表面;
b)将包括硅烷、自由基捕获剂气体、氧和惰性载体气体的前体混合物,导向并沿着待涂覆的表面流动,同时该混合物在此表面或其附近反应,形成含有硅的涂层,提供的自由基捕获剂在数量上足以防止前体气体着火和控制该混合物的反应速率;和
c)冷却此带有涂层的玻璃基质至室温。
2.根据权利要求1的在玻璃基质上淀积含有二氧化硅的涂料的方法,包括:
d)在工序b)之前,在该表面上淀积一种硅、金属氧化物、或金属氮化物的涂层。
3.根据权利要求1的在玻璃基质上淀积含有二氧化硅的涂层的方法,包括:
d)在工序b)之后,在该表面上淀积一种硅、金属氧化物、或金属氮化物涂层。
4.根据权利要求2的在玻璃基质上淀积含有二氧化硅的涂层的方法,包括:
e)在工序d)之后,在该表面上淀积一种硅、金属氧化物或金属氮化物涂层。
5.根据权利要求3的淀积含有二氧化硅的涂层的方法,包括:
e)在完成了淀积一层硅、金属氧化物或金属氮化物的工序d)之后,重复工序b),以在这层硅、金属氧化物或金属氮化物上淀积第二层含硅涂层。
6.根据权利要求1的淀积含有二氧化硅的涂层的方法,其中在前体混合物中的硅烷是甲硅烷(SiH4)。
7.根据权利要求1的淀积含有二氧化硅涂层的方法,其中在前体混合物中的自由基捕获剂气体从包括乙烯和丙烯的气体中选择。
8.根据权利要求7的淀积含有二氧化硅的涂层的方法,其中自由基捕获剂气体是乙烯。
9.根据权利要求1的淀积含有二氧化硅的涂层的方法,其中硅烷是甲硅烷(SiH4),自由基捕获剂是乙烯(C2H4)。
10.根据权利要求9的淀积含有二氧化硅的涂层的方法,其中在前体混合物中的硅烷浓度按体积计约为0.05%~3.0%。
11.根据权利要求9的淀积含有二氧化硅的涂层的方法,其中乙烯/硅烷的比值约为3∶1~17∶1。
12.根据权利要求9的淀积含有二氧化硅的涂层的方法,其中在前体混合物中的氧浓度按体积计约为0.15%~9%。
13.根据权利要求10的淀积含有二氧化硅的涂层的方法,其中乙烯/硅烷的比值约为3∶1~17∶1,氧的浓度按体积计约为0.15%~9%。
14.根据权利要求13的淀积含有二氧化硅的涂层的方法,其中乙烯/硅烷的比值约为9∶1。
15.生产在其一个表面上带有含二氧化硅涂层的玻璃片基质的方法,包括以下工序:
a)保持玻璃片基质的温度至少约为1050°F(566℃)和处于无氧化性气氛中;
b)将包括硅烷、自由基捕获剂气体、氧和惰性载体气体的气体前体混合物引向并沿着所述的一个表面流动,同时这混合物在所述的一个表面或其附近发生反应以形成含二氧化硅的涂层,提供的自由基捕获剂在数量上足以防止前体混合物着火和选择性地控制这前体混合物的反应速率;和
c)将带有涂层的玻璃基质从无氧化性气氛中移出并冷却这带涂层的基质至室温。
16.根据权利要求15中所要求的生产在其一个表面上带有含二氧化硅涂层的玻璃片基质的方法,包括在a)之后和b)之前的一道工序,这道工序是从包括硅、金属氧化物和金属氮化物的这类涂料中选择一种涂料,将其淀积到所述的一个表面上。
17.根据权利要求15中所要求的生产在其一个表面上带有含二氧化硅涂层的玻璃片基质的方法,包括在b)之后的一道工序,这道工序是从包括硅、金属氧化物和金属氮化物的这类涂料中选择一种涂料,将其淀积到所述的一个表面上。
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