[发明专利]通过改变衬底形貌在衬底上形成平面化表面

权利要求书

1.一种在半导体器件内半导体衬底的沟槽隔离区上形成基本平面化表面的方法，所述方法包括以下步骤：

a)在所述沟槽隔离区内形成潜在有源区；

b)在所述半导体衬底上形成介质层；并且

c)抛光所述介质材料，形成所述基本平面化的表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，有多个潜在有源区形成在所述沟槽隔离区内。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层包含基本上从由氧化物、BSG、PSG、BPSG、氮化物以及它们的结合组成的组中选择的一种材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质材料的所述抛光是使用化学机械抛光技术完成的。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述潜在有源区形成在所述沟槽隔离区内，其位置由修改所述半导体器件的所述沟槽隔离区的设计决定。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述半导体器件的设计的修改原则为，所述多个潜在有源区形成在所述沟槽隔离区内，其位置通过设计所述沟槽隔离区内潜在有源区的预定图形、并且随后去除实际上会改变所述半导体器件的功能的任何所述设计的潜在有源区决定。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，去除所述设计的所述沟槽隔离区内靠近预定边界位置处的所述设计的潜在有源区。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，也去除所述设计的所述沟槽隔离区内位于多晶硅下面位置处的所述设计的潜在有源区。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述所述潜在有源区的预定图形的设计原则为，在所述图形的给定区域内所述潜在有源区的密度接近所述半导体器件内其它部分相同尺寸的区域内有源区的密度。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件包含多个沟槽隔离区，每个所述多个沟槽隔离区都有潜在有源区在其内形成，形成方式基本上与所述沟槽隔离区相同。

11.一种在半导体器件内半导体衬底的沟槽隔离区上形成基本平面化表面的方法，所述方法包括以下步骤：

a)通过修改所述半导体器件的所述沟槽隔离区的设计，在所述沟槽隔离区内形成多个潜在有源区；

b)在所述半导体衬底上形成介质层；并且

c)抛光所述介质材料，形成所述基本平面化的表面。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述介质层包含从基本上由氧化物、BSG、PSG、BPSG、氮化物以及它们的结合组成的组中选择的一种材料。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述介质材料的抛光是使用化学机械抛光技术完成的。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述多个潜在有源区形成在所述沟槽隔离区内，其位置通过设计所述沟槽隔离区内潜在有源区的预定图形、并且随后去除实际上会改变所述半导体器件的功能的任何所述设计的潜在有源区决定。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述多个潜在有源区形成在所述沟槽隔离区内，其位置通过设计所述沟槽隔离区内潜在有源区的预定图形、并且随后去除实际上会改变所述半导体器件的功能的任何所述设计的潜在有源区决定。

16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，去除所述沟槽隔离区内包括阱边界位置处的所述设计的潜在有源区。

17.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，去除所述设计的所述沟槽隔离区内位于多晶硅下面位置处的所述设计的潜在有源区。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述所述潜在有源区的预定图形的设计原则为，在所述图形的给定区域内所述潜在有源区的密度接近所述半导体器件内其它部分相同尺寸的区域内有源区的密度。

19.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述半导体器件包含多个沟槽隔离区，每个所述多个沟槽隔离区都有潜在有源区在其内形成，形成方式基本上与所述沟槽隔离区相同。

20.一种在半导体器件内互连层上形成基本平面化层间介质表面的方法，所述方法包括以下步骤：

a)在所述互连层内两个互连线间形成多个高区，所述高区由形成与所述互连线的同一层形成。

b)在所述互连层上形成介质层；并且c)抛光所述介质材料，形成所述基本平面化的表面。