[发明专利]存储卡及生产该存储卡的方法无效
申请号: | 95197726.1 | 申请日: | 1995-01-27 |
公开(公告)号: | CN1177409A | 公开(公告)日: | 1998-03-25 |
发明(设计)人: | 小弗曼道·奥蒂兹;詹姆斯·T·法里斯 | 申请(专利权)人: | 英特普林福玛拉斯公司 |
主分类号: | G06K19/18 | 分类号: | G06K19/18;G06K19/067 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 巴西*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 生产 方法 | ||
1.一种存储卡,包括:
厚度约为9至14密耳的软性组合基片,所述组合基片包括一个软性热塑聚合物底薄膜,层压在所述底薄膜一个表面上的软性热塑聚合物顶薄膜,以及放在所述的底薄膜和所述顶薄膜之间并将其结合在一起的附着层,
附着在所述顶薄膜的外露表面上的磁性金属层,
覆盖所述的金属层并且在该卡上形成至少一个能被外部读卡设备读出的位置的电路层,以及
覆盖并保护所述电路层的保护层。
2.权利要求1所述的卡,另外包括在卡的前面能看到的印刷层。
3.权利要求1所述的卡,其中,所述的底薄膜和所述的顶薄膜各包含一个聚酯薄膜,而且所述底薄膜比所述的顶薄膜厚。
4.权利要求3所述的卡,其中,所述的项薄膜是厚度约为1至2密耳的双轴取向聚对苯二甲酸乙酯薄膜。
5.权利要求4所述的卡,其中,所述的底薄膜是厚度约为8至12密耳的双轴取向聚对苯二甲酸乙酯薄膜。
6.权利要求1所述的卡,其中,所述的金属层为厚度小于0.5微米的镍层。
7.权利要求1所述的卡,其中,所述的金属层是表面导电率约为每平方20欧姆的溅射喷涂镍层。
8.权利要求1所述的卡,其中,所述的电路层包含多个空间分隔的位置,可由某个外部读出设备读出,每个位置包括能单向地从第一可读状态转换为第二可读状态的装置。
9.一种存储卡,包括:
厚度约为9-14密耳的软性组合基片,所述的基片包含软性聚脂底薄膜,被层压到所述底薄膜一个表面上的软件聚脂顶薄膜,所述顶薄膜的厚度约为1至2密耳,还包括位于所述底薄膜和所述顶薄膜之间并将其结合在一起的粘合剂,
被附着在所述顶薄膜的外露表面、厚度小于0.5微米的一个金属层,
覆盖所述金属层的电路层,所述电路层包含多个可由某个外部读卡设备读出的空间分隔位置,每个位置包含能单向地从第一可读状态转换为第二可读状态的装置,以及
覆盖所述电路层并在卡的前面能看到的保护层。
10.权利要求9所述的一种卡,其中,所述的底薄膜为双轴取向的聚对苯二甲酸乙酯薄膜。
11.权利要求9所述的一种卡,其中,所述的金属层为厚度约为0.2微米的镍层。
12.权利要求9所述的一种卡,其中,所述的金属卡为表面导电率约为每平方20欧姆的一种溅射喷涂镍层。
13.权利要求9所述的一种卡,其中,所述的电路层包含多个能由外部读卡设备读出的空间分隔的位置,每个位置包含能单向地从第一可读状态转换为二可读状态的装置。
14.一种存储卡,包括:
厚度约为12密耳的软性组合基片,所述组合基片包含由双轴取向聚乙烯薄膜形成的一个软性底薄膜,被层压到所述底薄膜的一个表面上的软性热塑聚合物顶薄膜,所述顶薄膜包括厚度约为1至2密耳的双轴取向聚对苯二甲酸乙酯薄膜,还包括位于所述的底薄膜和顶薄膜之间并将其结合在一起的聚氨酯粘合剂,
附着到所述顶薄膜的外露表面,厚度小于0.5微米的溅射喷涂镍层,
覆盖所述镍层的电路层,所述电路层包含多个在该卡上的分离的可用感应电流读取的位置,每一位置包括一个可通过施加足够大的电流而不可逆地熔断的熔性连接,以便将该位置从第一状态转换为能被外部读出设备从卡读出的第二状态,以及
覆盖并保护所述电路层的保护层,所述保护层包括在卡的前面能看到的印刷标识。
15.形成存储卡的一种软性塑料基片,所述的基片包括由双轴取向聚乙烯薄膜形成的软性底薄膜,层压到所述底薄膜的一个表面上的软性热塑聚合物顶薄膜,所述顶薄膜包括厚度约为1至2密耳的双轴取向聚对苯二甲酸乙酯薄膜,还包括位于所述底薄膜和顶薄膜之间并将其结合在一起的聚氨酯粘合剂,以及被附着到所述顶薄膜的外露表面、厚度小于0.5微米的一个溅射喷涂镍层。
16.权利要求15所述的一种基片,其中所述的基片厚度约为12密耳。
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