[发明专利]用于单掩膜C4焊料凸点制造的方法

权利要求书

1．一种在存在Pb／Sn焊料凸点下从晶片表面去除金属层的方法，该方法包括如下步骤：

(a)通过将所述晶片暴露于第一蚀刻剂中而从所述晶片的所述表面上去除第一金属层，其中从所述晶片的表面上去除了第一金属层，并且其中在所述Pb／Sn焊料凸点上形成一保护层；

(b)通过将所述晶片暴露于第二蚀刻剂中而从所述晶片的所述表面上去除第二金属层，其中在所述晶片的表面上去除了第二金属层，并且其中在暴露于所述第二蚀刻剂之后，至少部分的所述保护层保留在所述Pb／Sn焊料凸点表面上；

(c)通过将所述晶片暴露于第三蚀刻剂中而从所述Pb／Sn焊料凸点表面上去除所述的保护层，其中所述的保护层被从所述Pb／Sn凸点上去除。

2．权利要求1的方法，其中所述的第一金属层包括铜。

3．权利要求1的方法，其中所述的第一金属层包括镍。

4．权利要求1的方法，其中所述的第一金属层包括钯。

5．权利要求1的方法，其中所述的第一金属层包括铂。

6．权利要求1的方法，其中所述的第二金属层包括钛。

7．权利要求1的方法，其中所述的第一蚀刻剂包括H₂SO₄+H₂O₂+H₂O。

8．权利要求1的方法，其中所述的第二蚀刻剂包括CH₃COOH+NH₄F+H₂O。

9．权利要求1的方法，其中所述的第二蚀刻剂包括HF+H₂O。

10．权利要求1的方法，其中所述的第三蚀刻剂包括HCl+NH₂CSNH₂+NH₄Cl+H₂O。

11．权利要求1的方法，其中所述的第三蚀刻剂包括2HCH₃SO₃+H₂O。

12．权利要求1的方法，其中所述的Pb／Sn焊料凸点包括97／3Pb／Sn。

13．权利要求1的方法，其中所述保护层包括PbO。

14．一种在存在Pb／Sn凸点下从基片表面去除球状限制冶金层的方法，该方法包括下列步骤：

(a)将所述基片的表面和所述Pb／Sn凸点暴露于第一蚀刻剂中，其中将第一金属层从所述基片表面上去除并且其中在所述Pb／Sn凸点表面上形成PbO层。

(b)将所述基片的表面和所述Pb／Sn凸点暴露于第二蚀刻剂中，其中从所述基片表面上去除第二金属层，并且其中在暴露于所述第二蚀刻剂中后至少部分所述PbO层保留在所述Pb／Sn凸点上；

(c)将所述Pb／Sn凸点暴露于第三蚀刻剂中，其中将所述PbO层从所述Pb／Sn凸点上去除。

15．权利要求14的方法，其中所述的第一金属层包括铜。

16．权利要求14的方法，其中所述的第一金属层包括镍。

17．权利要求14的方法，其中所述的第一金属层包括钯。

18．权利要求14的方法，其中所述的第一金属层包括铂。

19．权利要求14的方法，其中所述的第二金属层包括钛。

20．权利要求14的方法，其中所述的第一蚀刻剂包括H₂SO₄+H₂O₂+H₂O。

21．权利要求14的方法，其中所述的第二蚀刻剂包括CH₃COCH+NH₄F+H₂O。

22．权利要求14的方法，其中所述的第二蚀刻剂包括HF+H₂O。