[实用新型]一种大功率声频功率放大器无效
申请号: | 95208682.4 | 申请日: | 1995-04-13 |
公开(公告)号: | CN2254610Y | 公开(公告)日: | 1997-05-21 |
发明(设计)人: | 谢颖 | 申请(专利权)人: | 谢颖 |
主分类号: | H04R3/00 | 分类号: | H04R3/00;H03F5/00 |
代理公司: | 深圳市专利服务中心 | 代理人: | 王珉 |
地址: | 518008 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大功率 声频 功率放大器 | ||
本实用新型涉及声频放大领域,尤其是一种大功率声频功率放大器。
现有的声频放大器主要有合并式功率放大器和分体式前后级功率放大器二种。合并式声频功率放大器是将信号选择、电压放大、电流放大做在一个机箱里,来自信号源的信号经过本机放大后直接驱动扬声器。此种结构的缺点是,存在和变压器漏磁对高增益电压的干扰,音质指标低。分体式前后级声频功率放大器是将信号源选择器,小信号电压放大器做在一个机箱里,电压放大、电流放大做在另一个机箱里,来自信号源的信号,先经过有源前级电压放大,再经过后级电压放大和电流放大和驱动扬声器。此结构由于设置了一有源前置,信号需经多一发非线性的路径,加上电压放大和电流放大做在一个机箱内,后级的变压器功率通常很大,漏磁较严重,因电压放大级增益很高,其漏磁经电压放大后,再经电流放大馈给扬声器,因此,存在大功率变压器漏磁对高增益电压级的影响;扬声器反电动势通过环路负反馈影响音质的问题,做成上千瓦的的大功率声频功率放大器其音质很难满足要求。
本实用新型的目的是解决已有技术中环路反馈,扬声器反电动势,漏磁等对音质影响的问题,提供一种无环路反馈,漏磁干扰小的大功率声频功率放大器。
本实用新型的结构包括控制放大器、电流放大器、机箱等,控制放大器、电流放大器分别置于两个箱体内,控制放大器由半导体或真空管、变压器等组成无环路负反馈电压放大器,其输出电压接电流放大器的输入端,电流放大器由无负反馈电压跟随电路组成,其输出驱动扬声器。
本实用新型将电压放大级和电流放大级做成二个独立单元,电压放大级采用无环反馈电路,不直接驱动扬声器,扬声器的反电动势不会反馈到电压放大级,较好的解决了扬声器反电动势通过还路反馈使音质恶化的问题,电流放大器无电压增益,大大减轻了功放级变压器漏磁对高增益电压放大级的干扰,从而保证音频信号高保真地放大。尤其对于上千瓦的大功率声频功率放大器,其音质仍可达到较高指标。
下面结合附图和实际例对本实用新型的结构作进一步的说明。
图1为本实用新型的控制放大器电路原理图。
图2为本实用新型的控制放大器电路结构图。
图3为本实用新型的电流放大器电路原理图。
图4为本实用新型的电流放大器电路结构图。
由附图可知,本实用新型的结构包括控制放大器、电流放大器、控制放大器由拉手(1)、面板(2)、电子管或半导体(3)、机箱(4)、散热器(5)、电路板(8)、变压器(9)组成。电流放大器由拉手(11)、面板(12)、散热器(13)、变压器(14)、面板(12)、散热器(13)、变压器(14)、功率晶体管(可采用MOSFET或双极型晶体管)、电容器(6)组成。控制放大器和电流放大器分别放置在两个箱体内,箱体由金属材料制成,电流放大器采用半导体作为电流放大器,采用MOSFET或双极型晶体管。控制放大器由半导体或真空管组成无环路负反馈电压放大器,平衡(或不平衡)输入信号从输入端(CN1)输入,经电子管(G1)、(G2)电压放大后,平衡传输到电子管(G3)、(G4)的输入级,经电子管(G3)、(G4)进一步放大后接至输出端口(CN2),此时将输入的小信号电压放大到足够的幅度,用此电压驱动电流放大器,电流放大器和控制放大器为平衡输入或不平衡输入。由于是电压放大器,变压器功率很小,漏磁很小,对电路干扰也很小,加上电路为无环反馈电路,不直接驱动扬声器,扬声器的反电动势对其不会产生影响,保证了信号高保真的放大。控制放大器的输出信号经电流放大器输入端(CN3)分别接到二个电流放大器的输入端,电流放大器为一无环负反馈电压跟随器,其电压增益为“1”,电流增益由负载确定,负载阻抗低,电流增益高;负载阻抗高;电流增益低。MOS管(Q1)、(Q2)、(Q3)、(Q4)和MOS管(Q5)、(Q6)、(Q7)、(Q8)为互补跟随器,当VA为高电位时,Vc为高电位,Vb为低电位,Vd也为低电位,输出电流从C-D;反之,Vu为低电位,Vb为高电位时,输出电流从D-C,扬声器得到完整的波形。由于电流放大器为无环路负反馈的电压跟随器,其输入阻抗很高,对控制放大器的影响很小;输出阻抗很低,对扬声器的控制力好,确保了大功率频信号高保真的输出。
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