[实用新型]荧光灯双管串联稳压快速点明器

说明书

本实用新型涉及一种荧光灯镇流器。

目前荧光灯大多采用感性镇流器和电子镇流器这两种镇流器。它们都存在一些缺点：感性镇流器的力率很低，功率因数仅为0.34～0.40，损耗约占额定功率的20％左右，低电压时很难点亮灯管；电子镇流器构造复杂、成本高、维修困难、易受过电压损坏、抗无线电干扰能力差、灯管寿命短。

本实用新型的目的是设计一种工作电压范围宽、功率因数高、损耗小的镇流器。

本实用新型的目的是这样实现的：荧光灯双管串联稳压快速点明器由外壳、铁芯电感线圈、吸收电容、可控硅开关、双向充电倍压自锁电路组成。电感线圈、吸收电容、可控硅开关、双向充电倍压自锁电路通过两个荧光灯的灯丝串联连接。双向充电倍压自锁电路由两电容相串的电容串联支路和两二极管异向相串的二极管串联支路经并接构成，两串联支路的串联点相接。

下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细描述。

图1是本实用新型的电路原理图。

本实用新型由图中虚线所示的外壳S、铁芯电感线圈L、吸收电容C、可控硅开关、双向充电倍压自锁电路组成。电感线圈L、吸收电容C、可控硅开关、双向充电倍压自锁电路通过两个荧光灯Y1和Y2的灯丝串联相接。

在可控硅开关中，电阻R2和电容C2串联，组成阻容充电触发支路，电阻R2和电容C2的串联点经触发二极管D2和电阻R3接可控硅T的控制极，充电触发支路和可控硅T并接。由电容C1、电阻R1和反向二极管D1三者串联组成的可控硅保护支路与充电触发支路中的电容C2串联后再与可控硅T并接。C1、R1和D1组成的串联支路为可控硅T提供低阻的反向通路，因此可保护可控硅T不承受过高反电压。

交流电正半周时，电源通过R2对C2正向充电，当C2上电位达到触发电压时，触发二极管D2便导通，从而触发可控硅T导通，电容C2随即放电。交流电负半周时，电源通过R2和可控硅保护支路对C2反向充电。

双向充电倍压自锁电路由两电容C3、C4相串的电容串联支路和两二极管D3、D4异向相串的二极管串联支路经并接构成，两串联支路的串联点相接。交流电正半周时，电容C4被充电，交流电负半周时，则电容C3被充电。由于二极管D3、D4的单向隔离作用，使得两电容C3、C4上所充的电不会逃逸。

本装置有两个入端、六个出端，使用时将出端按图连接两灯管Y1和Y2的灯丝即可。

下面叙述电路的工作原理：

接通交流电源后，可控硅T首先被触发导通，电源正半周时，电源通过电感线圈L→吸收电容C→灯管Y1的左灯丝→可控硅T→灯管Y1和Y2的右灯丝→二极管D3→电容C4→灯管Y2的左灯丝给灯丝预热，同时对电容C4充电。电源负半周时，电源通过灯管Y2的左灯丝→二极管D4→电容C3→灯管Y2和Y1的右灯丝→可控硅T由于电感线圈L的扼流作用而续流导通→灯管Y1的左灯丝→吸收电容C→电感线圈L继续给灯丝预热。

约两秒钟后，双向充电倍压自锁电路中两电容C3、C4上所充的电压使可控硅T阴极的电位抬高，使得可控硅T不能继续导通，于是可控硅T被关断。此时电感线圈L立即感应出高电势，而双向充电倍压自锁电路中电容C3和C4上已分别充有极性相反的电压，该电压与电感线圈的反电势及电源电压叠加在一起，形成合成电压施加到两灯管上。由于双向充电倍压自锁电路并接在灯管Y2的两端，使灯管Y2承受的电压较灯管Y1的高，故先被点亮。Y2被点亮后，合成电压中剩余的部分又将灯管Y1电亮，于是可控硅开关和双向充电倍压自锁电路因分别被灯管Y1和Y2短路而退出工作，灯管Y1和Y2转入正常照明状态。

之后，若电源电压过高，则会受到吸收电容C对其的限制，这样双管在运行中就不会受到过高电压的冲击，因而能长期处于安全运行状态。若电源电压过低，如＜200V时，此时由于灯管Y1两端的可控硅开关的阻抗大于灯管Y2两端的双向充电倍压自锁电路的阻抗，电路将自动转入单管运行。这时也可如图所示，安装一个双掷开关K，并将开关合向左方，使电路强行转入单管运行。

本实用新型的优点：

1.工作电压范围宽。由于采用了双向充电倍压自锁电路，因而在150V～160V的低电压情况下仍能启动和点燃，由于采用了吸收电容，故在260V高压下也可安全运行；

2.功率因数高。因为加有吸收电容，故可将功率因数提高至0.7～0.9；

3.镇流器损耗小。本镇流器在输出40W额定功率时损耗＜10W，由于为双管运行，折算下来可降低损耗50％；