[实用新型]硅集成多触点真空度开关无效
| 申请号： | 95239085.X | 申请日： | 1995-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN2230922Y | 公开（公告）日： | 1996-07-10 |
| 发明（设计）人： | 茅盘松 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01L9/02 | 分类号： | G01L9/02;G01L9/12;H01L49/00 |
| 代理公司： | 东南大学专利事务所 | 代理人： | 楼高潮,叶连生 |
| 地址： | 210018*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 触点 真空 开关 | ||
【权利要求书】：
1、一种用于低真空系统中分段自动控制真空度的硅集成多触点真空度开关，由衬底、硅膜和真空参考腔构成，其特征在于衬底采用硅材料，其表面有重掺杂层，硅膜为多晶硅薄膜；多晶硅薄膜上有重掺杂构成的多个触点，真空参考腔采取在亚真空系统中沉积的SiO2层真空封接。
2、根据权利要求1所述的硅集成多触点真空度开关，其特征在于真空参考腔的间距采用沉积SiO2层控制，间距为分段台阶式结构或斜坡式结构，间距为1～4μm。
3、根据权利要求1或2所述的硅集成多触点真空度开关，其特征在于多晶硅薄膜的触点数为3～10个，多晶硅薄膜的厚度为0.3～2μm。
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