[发明专利]电子照相感光体无效
申请号: | 96100416.9 | 申请日: | 1996-01-09 |
公开(公告)号: | CN1151536A | 公开(公告)日: | 1997-06-11 |
发明(设计)人: | 野上纯孝;北泽通宏;佐藤胜博;富内芳昌 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | G03G5/00 | 分类号: | G03G5/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 陈季壮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 照相 感光 | ||
1.一种含导体基材以及在所述导体基材上形成的光敏层的电子照相感光体,其中
该光敏层含有一种选自下式(I)、(II)、(III)、(IV)、以及(V)所表示化合物:其中R1代表一个选自H,烷基,酰基和葡糖基(glvcoyl)的基团;其中R2表代表H,可任意具有取代基的烷基,和可任意具有取代基的芳基;其中R3代表一个选自H、可任意具有取代的烷基、可任意具有取代基的芳基的基团其中R4-R13各代表选自H、可任意具有取代基的烷基、可任意具有取代基的芳基的基团;以及其中各R14-R23代表一个选自H、烷基烷氧基、芳酰基、芳基的基团,它们可任意具有取代基。
2.权利要求1所要求的一种电子照相感光体,其中在所述的光敏层中所选的化合物的量为所述光敏层的0.1-30重量%,优选1-20重量%。
3.权利要求1所要求的一种电子照相感光体,其中所述光敏层为一种含电荷产生材料以及电荷迁移材料的单层结构。
4.权利要求1所要求的一种电子照相感光体,其中所述光敏层为一多层结构,该多层结构具有含电荷产生材料的电荷产生层以及含电荷迁移材料的电荷迁移层。
5.权利要求4所要求的一种电子照相感光体,其中所述的电荷迁移层中包含上述的所选化合物。
6.权利要求1所要求的一种电子照相感光体,进一步在所述导体基材和所述光敏层之间包含一内涂层。
7.权利要求1所要求的一种电子照相感光体,其中所述内涂层为主要含蜜胺树脂、芳族羧酸和/或芳族羧酸酐的硬化膜,以及膜上固着碘。
8.权利要求1所要求的一种电子照相感光体,其中所述电荷迁移材料为式(VI)表示的腙类化合物其中R24、R25、R26以及R27各代表一个选自烷基、芳烷基以及可被取代的芳基的基团;且R28代表选自氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基中的一种原子或基团,且R24和R25可连结在一起成环,且R25或R24还可与R28连结在一起成环。
9.权利要求1所要求的一种电子照相感光体,其中所述电荷迁移材料为式(VII)表示的联苯乙烯化合物:其中各R29、R30、R31以及R32代表一个选自可被取代的烷基和芳基的基团;R33和R34各代表一个选自氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基的基团,且Ar代表芳基或芳族杂环基团。
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