[发明专利]多波束速调管在审
申请号: | 96101219.6 | 申请日: | 1996-01-28 |
公开(公告)号: | CN1135650A | 公开(公告)日: | 1996-11-13 |
发明(设计)人: | 金权执 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01J25/10 | 分类号: | H01J25/10 |
代理公司: | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人: | 马莹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波束 速调管 | ||
1、一种多波束速调管,其特征在于它由如下各部分构成:发射多个电子束的阴极;调制从上述阴极发射的电子束的密度的密度调制装置;产生用以防止从上述阴极发射的电子束发散的磁力的磁力发生装置;耦合用上述密度调制装置进行了密度调制的电子束的能量使产生高频的高频发生装置;和收集已通过上述密度调制装置输出了微波的电子束的收集极。
2、按照权利要求1所说的多波束速调管,其特征在于所说的密度调制装置包括:将从阴极发射的电子束进行一次密度调制并放大高频功率的第一谐振腔;将从上述阴极发射的电子束进行二次密度调制并放大高频功率的第二谐振腔;将从上述阴极发射的电子束进行三次密度调制并放大高频功率的第三谐振腔;和将从述阴极发射的电子束进行四次密度调制并放大高频功率的第四谐振腔。
3、按照权利要求1所说的多波束速调管,其特征在于所说的磁力发生装置包括:呈环形配置在上述阴极周围的第一永磁铁组;呈环形配置在上述收集极周围的第二永磁铁组;将从上述第一永磁铁组发射的磁通导引向第二永磁铁组以使磁通以均匀的密度分布在电子束移动的漂移通路上的第一极靴和第二极靴;将从上述第二永磁铁组发出的磁通导引向第一永磁铁组的磁轭。
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