[发明专利]在MOSFET的硅衬底上形成低薄层电阻结的方法无效
| 申请号： | 96101496.2 | 申请日： | 1996-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1077723C | 公开（公告）日： | 2002-01-09 |
| 发明（设计）人： | 李吉镐 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mosfet 衬底 形成 薄层 电阻 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种在MOSFET的硅衬底上形成低薄层电阻结的方法，
其特征在于，该方法包括以下步骤：
在硅衬底上形成包括一栅极区、一源极区和一漏极区的MOSFET；
在源/漏极区上形成一非晶硅层；
将杂质离子注入所说非晶硅层；
将过渡金属离子注入所说非晶硅层；和
热处理所说非晶硅层和硅衬底，使所说过渡金属离子扩散到所说硅衬底的表面，使所说杂质离子扩散进所说硅衬底。
2、根据权利要求1的方法，其特征在于，所说杂质离子为BF2离子。
3、根据权利要求1的方法，其特征在于，所说杂质离子的射入范围被设置在所说非晶硅层的半厚度处。
4、根据权利要求1的方法，其特征在于，所说过渡金属是钨、钛或钴之一。
5、根据权利要求1的方法，其特征在于，所说过渡金属离子的射入范围被设置在所说非晶硅层的半厚度处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
