[发明专利]光电转换器及其制造方法无效
申请号: | 96101887.9 | 申请日: | 1996-03-08 |
公开(公告)号: | CN1135660A | 公开(公告)日: | 1996-11-13 |
发明(设计)人: | W·施佩思;W·格拉曼;G·波纳;R·迪特里希 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/0203;G02B6/42 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 董巍,叶恺东 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换器 及其 制造 方法 | ||
1.光电转换器具有一个接收光或者发射光的半导体器件、具有一个固定半导体器件的底盘和具有一个与底盘连接在一起的间距定位片,该定位片用于将透镜系统在光学上对准半导体器件,其特征在于,
底盘(1)、间距定位片(7)和透镜系统(8)是由具有至少相近的热膨胀系数的材料制成。
2.根据权利要求1所述的转换器,其特征在于,
底盘(1)和透镜系统(8)由硅制成并且间距定位片(7)由玻璃制成。
3.根据权利要求1所述的转换器,其特征在于,
底盘(1)由玻璃制成并且透镜系统(8)和间距定位片(7)由硅制成。
4.根据权利要求1至3其中之一所述的转换器,其特征在于,
底盘(1)备有金属层(5),在金属层上固定半导体器件(6)。
5.根据权利要求1至4其中之一所述的转换器,其特征在于,
由玻璃制成的部件与由硅制成的部件用阳极键合法彼此连接。
6.根据权利要求1至5其中之一所述的转换器,其特征在于,各由玻璃或由硅制成的部件彼此焊接或粘接。
7.根据权利要求1至6其中之一所述的转换器,其特征在于,
半导体器件(6)位于底盘(1)的凹槽(2)内。
8.根据权利要求1至7其中之一所述的转换器,其特征在于,
底盘(1)由硅制成并且底盘(1)在安装半导体器件(6)相反的一侧与玻璃片(10)连接。
9.根据权利要求1所述的光电转换器制造方法,其特征在于:
a)在底盘(1)内装载半导体器件(6)的凹槽(2)是这样制造的,即在每个凹槽的一侧至少保留一个凸梁(3),
b)在凸梁上放置一个大小与底盘(1)相同的平板(17)并与凸梁(3)用适合材料的方法连接在一起,
c)去掉平板(17)在凸梁(3)之间的部分,从而形成与底盘(1)连接在一起的间距定位片(7),
d)按照预先设计的网栅在凹槽(2)内装入半导体器件(6)并与底盘(1)连接在一起,
e)在载体上安置另一块板(18),此板含有与半导体器件数量相当的透镜系统(8),这些透镜系统按照相同的网栅安置在此板上,
f)此板(18)相对于载体这样调整,使每一个透镜系统各对准一个半导体器件,
g)此板(18)被固定在载体上,
h)由底盘、半导体器件、间距定位片和另一块板所组成的复合体经第一平行切口(13)和与此垂直的第二切口所分开从而形成单元(11),这些单元各含有一个底盘(1)、一个半导体器件(6)、若干间距定位片(7)和一个透镜系统(8)。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,
每个单元(11)都装入一个气密的管壳(14、15)内。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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