[发明专利]圆柱形磁控管的屏蔽结构

权利要求书

1.在装置(10)中，在真空腔内的气体气氛中通过从圆柱形靶(14)溅射材料将膜淀积到衬底(22)上，靶(14)通过各个支撑块(16，18)在其相对端(42，44)可旋转地被支撑，所述靶包括非旋转地固定在其中的磁铁，以便建立沿靶的长度方向延伸的溅射区，所述装置包括与所述靶电连接的电源(36)，并且所述装置包括至少一个圆柱形屏蔽结构(38和/或40)，该屏蔽结构由所述支撑块中的至少一个支撑，并且在靶的至少一个相关的端部上延伸，相距一定间隔(50)，其中所述屏蔽结构的改进之处在于包括围着其外表面(62)延伸的至少一个环形结构(52)，确定所述至少一个环形结构的尺寸，以便中断可能另外穿过所述外表面的任何电弧(56)的运动。

2.权利要求1的装置，其中确定所述环形结构的尺寸，以便阻止可能另外出现在所述环形结构附近的等离子体的形成。

3.权利要求1或2的装置，其中所述至少一个环形结构具有宽度(B、B′、B″或B)，该宽度小于真空腔中气体的平均自由路径的一半，并大于所述电弧的宽度(D)，所述环形结构还相对于所述外表面径向延伸，其径向延伸(C、C′、C″或C)大于所述环形结构的宽度。

4.权利要求3的装置，其中所述环形结构基本是矩形的，所述环形结构的宽(B或B′)和所述径向延伸(C或C′)形成矩形的相邻边。

5.权利要求3的装置，其中所述环形结构基本是三角形的，所述环形结构的宽(B″或B)形成三角形的底，所述径向延伸(C″或C)形成所述三角形的高。

6，权利要求3、4或5的装置，其中所述环形结构是槽，所述径向延伸(C或C″)相对于所述外表面是向内的。

7.权利要求3、4或5的装置，其中所述环形结构是隆起物，所述径向延伸(C′或C)相对于所述外表面是向外的。

8.权利要求1的装置，其中所述屏蔽结构与地电位或所述至少一个支撑块的电位电隔离。

9.前面任何权利要求的装置，其中所述至少一个圆柱形屏蔽结构包括由所述支撑块中的每一个支撑的一元化屏蔽件，所述一元化屏蔽件围着所述靶的基本在所述溅射区外的圆周部分延伸，并具有至少与所述溅射区一样大的开口，所述开口围着基本在所述溅射区内的所述圆周部分延伸，并且其长度小于所述靶的所述相对端部之间的距离。

10.权利要求1的装置，其中所述至少一个圆柱形屏蔽结构包括分别由所述支撑块的第一和第二支撑块支撑的第一和第二圆柱形屏蔽件(38和40)。

11.利用一种淀积方法，在其中具有真空腔和气体气氛的装置中，通过从圆柱形靶(14)溅射材料将电介质或绝缘膜淀积到衬底上，靶(14)通过各个支撑块(16，18)在其相对端(42，44)可旋转地被支撑，所述靶包括非旋转地固定在其中的磁铁，以便建立沿靶的长度方向延伸的溅射区，所述装置(10)包括与所述靶电连接的电源(36)，并且所述装置包括至少一个圆柱形屏蔽结构(38和/或40)，该屏蔽结构由所述支撑块中的至少一个支撑，并且在靶的至少一个相关的端部上延伸，相距一定间隔(50)，其中所述方法的改进之处在于包括通过采用至少一个环形结构(52)来中断可能另外穿过所述屏蔽结构的外表面(62)的任何电弧(56)的运动的步骤，所述至少一个环形结构围着所述外表面延伸并被确定尺寸以便中断所述运动。