[发明专利]表面声波谐振腔滤波器

权利要求书

1．一种表面声波谐振腔滤波器，其特征在于，它包括：

一种36°Y截面X向传播的LiTaO₃基片；

多个IDT，设置在所述LiTaO₃基片上；

多个反射器，设置在所述多个IDT的两侧；和

SiO₂薄膜，设置得使其覆盖住所述IDT和所述反射器；其中

电极厚度比T/λ和SiO₂薄膜厚度比H/λ取得满足以下不等式的条件：

            2.6％≤T/λ≤4.8％

            22％≤H/λ≤38％

其中T表示所述IDT和反射器的各电极的厚度，H表示所述SiO₂薄膜的厚度，λ表示在所述基片上产生的表面声波的波长，其长度为反射器电极间距的两倍。

2．根据权利要求1的一种表面声波谐振腔滤波器，其特征在于它还包括多个级，各级由多个设置在所说LiTaO₃基片上的所述IDT构成，其中所说级是级联的。

3．如权利要求1所述的表面声波谐振腔滤波器，其特征在于所述SiO₂薄膜是用射频磁控管溅射法制成的薄膜。

4．如权利要求1所述的表面声波谐振腔滤波器，其特征在于，其中所述多个IDT的电极叉指总对数Nt取满足以下不等式条件的值：14≤Nt≤68。

5．如权利要求1所述的表面声波谐振腔滤波器，其特征在于，SiO₂薄膜厚度比H/λ取满足以下不等式条件的值：26％≤H/λ≤36％。

6．如权利要求1所述的表面声波谐振腔滤波器，其特征在于，SiO₂薄膜厚度比H/λ取满足以下不等式条件的值：27％≤H/λ≤35％。

7．根据权利2的表面声波谐振腔滤波器，其特征在于，所述SiO₂薄膜是一种由射频磁控管溅射法形成的薄膜。

8．根据权利要求2的表面声波谐振腔滤波器，其特征在于，设定所述多个IDT电极叉指的总对数，使其满足14≤Nt≤68。

9．根据权利要求2的表面声波谐振腔滤波器，其特征在于，设定SiO₂薄膜厚度比H/λ，使其满足26％≤H/λ≤36％。

10．一种制造表面声波谐振腔滤波器的方法，包括下列步骤：

在一36°Y截面X向传播的LiTaO₃基片上形成多个电极供形成叉指换能器(IDT)和反射器之用，其中所述多个电极的厚度T和在所述基片上产生的表面声波的波长λ设定得使其满足2.6％≤T/λ≤4.8％；以及

在所述IDT上用RF磁控管溅射法形成SiO₂薄膜，其中所述SiO₂薄膜的厚度H和所述波长λ设定得使其满足22％≤H/λ≤35％。

11．根据权利要求10的方法，其特征在于，形成所述多个电极的步骤包括：

在所述基片上形成金属膜；以及

将所述金属膜构图，以形成具有电极叉指总对数为Nt的所述IDT，其中所述Nt设定得使其满足14≤Nt≤68。