[发明专利]薄膜电容及其制造方法和混合电路基板及其装配方法

权利要求书

1.一种薄膜电容，其特征是：在对向电极层之间形成电介质层，且至少在一侧的电极层与电介层之间夹有导电性粒子层。

2.如权利要求1所述的薄膜电容，其特征是：导电性粒子层所接触一侧的电极层的表面形成为粗糙面。

3.如权利要求1或2所述的薄膜电容，其特征是：在另一侧的电极层与电介质层之间也夹有导电性粒子层。

4.一种薄膜电容的制造方法，其特征是具备下述工序：在第1电极层的表面上形成第1导电性粒子层的工序，在该第1导电性粒子层上形成电介质层的工序；在该电介质层上形成第2电极层的工序。

5.一种薄膜电容的制造方法，其特征是具备下述工序：使第1电极层的表面变成粗糙面的工序；在该第1电极层的粗糙面上形成第1导电性粒子层的工序；在该第1导电性粒子层上形成电介质层的工序；在该电介质层上形成第2导电性粒子层的工序；在该第2导电性粒子层上形成第2电极层的工序。

6.一种混合电路基板，其特征是包括薄膜电容和多个电路图形，所述薄膜电容包括：

一对电极层，这对电极层中的一个即第一层与上述电路图形中的一个即第一图形相连接，这对电极层中的另一个即第二层与上述电路图形中的另一个即第二图形相连接；

夹在上述一对电极层中的电介质层；以及

夹在上述一对电极层中的一个与上述电介质层之间的第一层导电粒子。

7.如权利要求6所述的混合电路基板，其特征是：上述第一层位于上述混合电路基板的内侧，直接与上述第一图形相连接，且被部分去除去；而上述第二层位于所述混合电路基板的外侧，通过上述电介质层的孔与上述第二图形相连接，在上述电介质层的孔处没有上述第一层。

8.如权利要求7所述的混合电路基板，其特征是：上述第二层有一凹下部分，该凹下部分的底部一侧通过上述电介质层上的孔与上述第二图形相连接，在上述电介质层的孔处没有上述第一层。

9.如权利要求7所述的混合电路基板，其特征是：上述第二图形上有一凸出部分，该凸出部分贯通上述电介质层与上述第二层相连接。

10.如权利要求9所述的混合电路基板，其特征是：上述凸出部分位于穿过上述第二图形的穿透孔的顶部。