[发明专利]半导体激光二极管及其制造方法

权利要求书

1，一种半导体激光二极管，其特征是：它包括

有孔的绝缘性基板、

在上述基板的上述孔内将其设置为在该基板的主面一侧有露出面的由第1导电型半导体构成的第1接触层、

以由第1导电型半导体构成的第1包层、活性层、由第2导电型半电体构成的第2包层、由第2导电型半导体构成的第2接触层的顺序进行迭层而构成、且形成为使上述第1包层与上术第1接触层进行接合的半导体层、其中在上述第1接触层上设置有使上述第1包层在上述基板的主面一侧露出来的开口部分，

在上述开口中在第1包层的表面上形成的第1反射镜、

在上述半导体层的第2接触层上形成为使之与该节1反射镜相对的第2反射镜、

在上述基板的主面上形成为使之与上述第1接触层的露出面连接的电极。

2.权利要求1所述的半导体激光二极管，其特征是：第1接触层的露出面被构成为使之成为与基板主面的端边连续的大体上同一平面。

3.权利要求1所述的半导体激光二极管，其特征是：第1接触层的露出面被构成为由从基板主面的端边向第1包层连续的平面构成的平面。

4.权利要求1所述的半导体激光二极管，其特征是：半导体层被构成为使其侧面为基板所覆盖。

5.一种半导体激光二极管，其特征是：它包括

在主面上有开口部分的绝缘性基板，

在上述基板上形成的由第1导电型半导体构成的第1接触层、

以由第1导电型半导体构成的第1包层、活性层、由第2导导型半导体构成的第2包层、由第2导电型半导体构成的第2接触层的顺序进行迭层而构成、并形成为使上述第1包层成为上述基板的上述开口部分的底面，同时与上述第1接触层接合的半导体层、

在上述开口部分的底面中的第1包层上形成的第1反射镜、

与该第1反射镜相对地，形成在上述半导体层中的第2接触层上的第2反射镜、

在上述基板的主面上形成的电极，

应用电连方法把介以上述绝缘基板而形成的上述电极与上述第1接触层连接起来。

6.权利要求5所述的半导体激光二极管，其特征是：使电极和第1接触层进行电连的方法用在上述基板上形成的接触孔或基板的上述开口部分将电极延长而构成。

7.权利要求1到权利要求6的任一权利要求中所述的半导体激光二极管，其特征是：第1和第2接触层、第1和第2包层以及活性层内含氮化的半导体构成。

8.权利要求7所述的半导体激光二极管，其特征是：基板用蓝宝石构成。

9.一种半导体激光二极管的制造方法，其特征是包括下述工序，

第1工序，用于在形成于绝缘性基板主面上的孔里形成由第1导电型半导体构成的第1半导体层，使之埋入孔内，

第2工序，用于在上述第1半导体层上边，以将成为包层的由第1导电型半导体构成的第2半导体层、将成为活性层的第3半导全层、将成为包层的由第2导电型半导体构成的第4半导体层的顺序进行迭层，

第3工序，用于研磨上述基板的背面，直到使上述第1半导体层露出来，

第4工序，用于在从上述基板背面露了出来的第1半导体层的那一面内形成使上述第2半导体层露出来的孔。

10.权利要求9所述的半导体激光二极管的制造方法，其特征是：第2工序含有在基板上和第1半导体层上边生长外延层的工序。

11.权利要求9所述的半导体激光二极管的制造方法，其特征是：第2工序定为使第2、第3和第4半导体层形成于已经埋入了第1半导体层的孔内。

12.权利要求9到权利要求11的任一权利要求所述的半导体激光二极管的制造方法，其特征是，第1、第2、第3、和第4半导体层由含氮化家的半导体构成。