[发明专利]磁记录媒体和使用该磁记录媒体的磁存储装置无效
申请号: | 96102114.4 | 申请日: | 1996-02-02 |
公开(公告)号: | CN1136693A | 公开(公告)日: | 1996-11-27 |
发明(设计)人: | 细江让;吉田和悦;稻叶信幸;山本朋生;石川晃;二本正昭;片冈宏之;城石芳博 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | G11B5/84 | 分类号: | G11B5/84;G11B5/82;G11B5/245 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 范本国 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 记录 媒体 使用 存储 装置 | ||
1.一种磁存储装置,包括:具有在多个磁性层与相邻的磁性层之间插入中间层的磁记录媒体、沿记录方向驱动磁记录媒体的驱动部、具有记录部和再生部的磁头、使磁头相对于磁记录媒体相对运动的装置和用于进行向磁头输入信号及再生上述磁头的输出信号的记录再生信号处理装置,其特征在于:通过用磁阻效应式磁头构成磁头的再生部,上述磁记录媒体的多个磁性层含有在多个磁性层与媒体表面垂直的方向重叠的位置存在的结晶方位不同的结晶粒。
2.如权利要求1所述的磁存储装置,其特征在于:上述多个磁性层含有最密六角点阵结构的c轴方位与媒体表面大致平行的Co合金结晶粒,并且含有在与媒体表面垂直的方向重叠的位置存在的c轴方位相互大致正交的Co合金结晶粒。
3.如权利要求2所述的磁存储装置,其特征在于:上述多个磁性层由靠近基板表面的第1磁性层和通过中间层在其上形成的第2磁性层构成,在构成上述第2磁性层的结晶粒中,设其c轴方位和在与媒体表面垂直的方向重叠的位置存在的上述第1磁性层的结晶粒的c轴方位大致正交的结晶粒的数量为Nc、大致平行的结晶粒的数量为Na时,Nc和Na之比Nc/Na大于0.2。
4.如权利要求1所述的磁存储装置,其特征在于:构成上述多个磁性层大至少一层的磁性层的磁性结晶粒垂直于媒体表面的方向的平均的结晶方位与构成其他磁性层的磁性结晶粒垂直于媒体表面的方向的平均的结晶方位不同。
5.一种磁存储装置,包括:在多个磁性层与相邻的磁性层之间插入中间层的磁记录媒体、沿记录方向驱动磁记录媒体的驱动部、具有记录部和再生部的磁头、使磁头相对于磁记录媒体相对运动的装置和用于进行向磁头输入信号及再生上述磁头的输出信号的记录再生信号处理装置,其特征在于:通过用磁阻效应式磁头构成磁头的再生部,上述磁记录媒体的多个磁性层的容易磁化的轴方向处于膜面内,并且,上述磁性层的容易磁化的轴方向在各层间不相关。
6.一种磁存储装置,包括:在多个磁性层与相邻的磁性层之间插入中间层的磁记录媒体、沿记录方向驱动磁记录媒体的驱动部、具有记录部和再生部的磁头、使磁头相对于磁记录媒体相对运动的装置和用于进行向磁头输入信号及再生上述磁头的输出信号的记录再生信号处理装置,其特征在于:通过用磁阻效应式磁头构成磁头的再生部,上述磁记录媒体的中间层由Ta层和Cr层或Hf层和Cr层或者将从由Zr,Nb,Ti,V,Mo,W构成的群中选择的至少一种元素添加到这些元素中的合金膜的二层构成。
7.如权利要求6所述的磁存储装置,其特征在于:上述中间层由在Ta或Hf层上形成Cr层而成。
8.如权利要求7所述的磁存储装置,其特征在于:在上述中间层中,Ta层或Hf层与Cr层的厚度之和为2~20nm。
9.如权利要求6所述的磁存储装置,其特征在于:上述多个磁性层是Co基合金。
10.如权利要求1,2,3,4,5,6,7,8,或9所述的磁存储装置的特征在于:上述磁阻效应式磁头具有由相互间隔0.35μm以下的距离的软磁性体构成的2个屏蔽层和在上述2个屏蔽层之间形成的磁阻传感器部,上述磁记录媒体的多个磁性层的厚度之和t与记录方向的剩余磁通密度Br之积Br×t大于G·μm,小于100G·μm。
11.如权利要求1,2,3,4,5,6,7,8,9或10所述的磁存储装置,其特征在于:上述磁阻效应式磁头包含通过磁化方向相互随外部磁场发生相对变化而产生大的磁阻变化的多个导电性磁性层和设置在上述导电性磁性层之间的导电性非磁性层。
12.一种磁记录媒体,其特征在于:在具有多个磁性层和在相邻磁性层之间设置中间层的多层磁性层磁记录媒体中,上述多个磁性层含有在与垂直于媒体表面的方向重叠的位置存在的结晶方位不同的结晶粒。
13.如权利要求12所述的磁记录媒体,其特征在于:上述多个磁性层含有最密六角点阵结构的c轴方位与媒体表面大致平行的Co合金结晶粒,并且含有在与媒体表面垂直的方向重叠的位置存在的c轴方位相互大致正交的Co合金结晶粒。
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