[发明专利]标准片的制备方法无效
| 申请号： | 96102418.6 | 申请日： | 1996-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1056467C | 公开（公告）日： | 2000-09-13 |
| 发明（设计）人： | 陈光钊;涂玉堂 | 申请（专利权）人： | 台湾茂矽电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 标准 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种利用阻挡膜制备标准片的方法，其步骤如下：
(a)提供一硅晶片；
(b)利用化学气相沉积法在所提供的硅晶片上沉积一硼磷硅酸盐玻璃膜或一磷硅酸盐玻璃膜；
其特征在于：最后在硼磷硅酸盐玻璃或磷硅酸盐玻璃薄膜上，沉积一层氮化硅阻挡膜。
2、如权利要求1所述的方法，其中所述的阻挡膜是四氮化三硅薄膜。
3、如权利要求1或2所述的方法，其中沉积阻挡膜是利用等离子体辅助化学气相法沉积的。
4、如权利要求1或2所述的方法，其中，沉积阻挡膜的反应温度为300℃至500℃。
5、如权利要求1或2所述的方法，其中沉积阻挡膜时的反应压力为2至8托。
6、如权利要求1或2所述的方法，其中沉积阻挡膜时的反应气体包含有SiH4，其气体流量为20至60sccm；NH3，其气体流量为0至80sccm；N2，其气体流量为1000至3000sccm。
7、如权利要求1或2所述的方法，其中沉积阻挡膜时的反应气体的射频功率为100至500瓦。
8、如权利要求1或2所述的方法，其中沉积阻挡膜时的反应气体射入口至硅晶片的距离为150至750mils。
9、如权利要求1或2所述的方法，其中沉积在BPSG或PSG上的阻挡膜的膜厚为50埃以上。
10、如权利要求2所述的方法，其中Si3N4阻挡膜可由SiN阻挡膜取代。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
