[发明专利]超导故障电流限制器无效
申请号: | 96102552.2 | 申请日: | 1996-01-26 |
公开(公告)号: | CN1054710C | 公开(公告)日: | 2000-07-19 |
发明(设计)人: | F·J·蒙福德 | 申请(专利权)人: | GEC阿尔斯特霍姆有限公司 |
主分类号: | H02H3/00 | 分类号: | H02H3/00;H02H3/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳,张志醒 |
地址: | 英国沃*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超导 故障 电流 限制器 | ||
本发明涉及超导故障电流限制器(SCFCL)。
参见附图1,可以由绕在铁质的(或空气的)芯子3上的初级绕组1和短路的次级绕组2来表示感应SCFCL。短路的绕组是超导材料的一个层或一个圆柱体,而初级绕组构成对所引起的故障电流进行抵消的电路一部分。通常由超导体感生的电流引致的磁通有效地屏蔽(或消除)了来自铁芯的初级绕组的磁通,并由SCFCL使电路呈低电感。但是,当超导体中的电流密度高于临界值时,超导体将呈阻性,且感生的超导电流不足以产生足够的抵消通量。随之,进入铁芯的剩余未屏蔽/未抵消的初级磁通量会产生大感生电抗,它自我限制了故障电流。
对于给定临界电流密度(JC)和给定截面的超导绕组来说,临界初级电流-故障电流即被确定,在此界限之上,进行值的自我限定。
在图1的次级电路中的电阻Rs代表当初级电流超过故障电流时的超导电阻。
采用所谓高压超导(HTS)的感应型超导故障电流限制器可从诸如欧洲专利0353449中得知。
在诸如上文提及的已有技术装置中所产生的问题是,本来可被容纳下来的故障电流却受到超导通路截面积不适当的限制。通过增加在已有技术装置中的次级圆柱体的厚度(随之增加截面)而增加故障电流阈值的努力是不能令人满意的,因为超导体的临界电流密度(JC)随厚度增加而劣化。此外,需要HTS的薄层,以确保短切换时间,并确保在故障状态下温升仍然可控,而在要被保护的电路中无需启动电路断路器。
本发明的目的在于提供一个超导故障电流限制器,它大大地克服了已有技术的问题。
根据本发明,一种超导故障电流限制器,它包括:一个初级故障电流绕组,一个以超导圆柱体形式的次级绕组,一个搭接在初级和次级绕组上的铁磁电路,初级和次级绕组被安置成,能在第二组的超导状态产生基本上抵消铁磁电路中的初级磁通,其中,超导圆柱体包括一个覆有超导材料的衬层,该衬层至少具有相对于圆柱体的轴而横向伸展的超导涂层部分。
所述部分的至少一些部分是暴露的表面,它允许制冷液体与超导涂层接触。
衬层包括一堆叠的单个垫圈状的件,在其一面或两面涂有超导材料。
另外,衬层可以是具有开槽外表面的圆柱体。
在另一实施例中,衬层的厚度和起皱的形状基本均匀。
超导圆柱体和初级绕组可放在铁磁电路的同一位置上,且超导圆柱体处在初级绕组内。
图1为一般SCFCL的电路图;
图2(a)为根据本发明的SCFCL的截面图;
图2(b)是图2(a)的超导圆柱体的放大的细节图;
图3为图2的超导圆柱体的部件“垫圈”的正视和侧视图。
参见图1,初级绕组1与将被保护的电路相串联。绕组1包着也耦合到由短路的次级所构成的超导绕组2的铁磁芯3上。次级绕组的阻值是由可变电阻Rs代表的,该值取决于超导的状态。进而取决于电流密度,低于临界值JC呈超导性,高于该值呈阻性。在正常电流值的超导状态,在超导圆柱体中感生的电流使安匝与初级线圈中的相等并相反。
可考虑将两个绕组组合起来以产生一个纯零场强,随后在铁芯中产生一个纯零的通量。
另一方面,可将超导圆柱体2当作一个屏以防止初级磁通“接触”到铁芯。这样,初级电感非常低,且对保护电路呈现出可忽略不计的阻抗。
次级电流随初级电流升高直至超过用于超导屏蔽的临界电流IC为止。在此状态下,次级呈阻性(即Rs从零起增加),两个磁密度出现不平衡,净余磁通就会进入铁芯中,初级绕组电感就会大大增加,且所产生的增加后的阻抗限制了故障电流。
见图2(a),其中示出矩形软铁芯3,其一边由初级铜绕组1和构成短路次级绕组的超导圆柱体2包围。
圆柱体2仅仅是开放的圆柱形的,且由固定有氧化锆的垫圈形件4(见图3)的氧化锆陶瓷管5(见图2(b)的放大图)构成,件4在其一面或两面覆有高温超导体。在现阶段有几种具有高于77°K临界温度的HTS材料可用。
垫圈4再由也为陶瓷的环形隔件6隔开。
涂层厚度在50-100μm间,并限制到100μm下,以避免使JC变差。垫圈的涂层表面的径向范围可为涂层厚度的50-100倍的数量级。
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