[发明专利]半导体混成传感器和差压发送器

权利要求书

1.一种半导体混成传感器，其特征在于包括：

至少两个检测区域，每个检测区域包括：

具有第一p型半导体区域和形成于所述第一p型半导体区域上的第一n型半导体区域的传感器衬底；

具有形成于所述第一n型半导体区域一部分内的第二p型半导体区域并且电阻值随所施加压力而变化的压阻元件；

包围所述压阻元件以延伸通过所述第一n型半导体区域并且与所述第一p型半导体区域相连的分隔装置；

所述检测区域内的压阻元件串联连接；并且

每个压阻元件具有适于与较高电势相连的第一电极和适于与较低电势相连的第二电极，所述第一电极还与相连检测区域内的所述第一n型半导体区域连接。

2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于所述分隔装置包含第三p型半导体区域。

3.如权利要求1所述的传感器，其特征在于在提供4个所述检测区域并且所述4个检测区域内的压阻元件连接构成桥式电路。

4.如权利要求1所述的传感器，其特征在于所述分隔装置包含绝缘体。

5.如权利要求1所述的传感器，其特征在于对于每个形成于所述第一n型半导体区域上的压阻元件，进一步包含屏蔽层，它包括形成于第一n型半导体区域与接触所述第一p型半导体区域的主表面相对的主表面内的第二n型半导体区域并且覆盖压阻元件，所述第二n型半导体区域的面积和杂质浓度都大于压阻元件。

6.一种差压发送器，其特征在于包含：

分别引入低压和高压的低侧压力入口和高侧压力入口；

包括检测物理量的传感器的混成传感器衬底，物理量包括尘埃压、静压和温度；

密封隔膜和压力传输介质，引入的低侧和高侧压力分别经它们被送至所述混成传感器衬底，

所述混成传感器衬底包括：

至少两个检测区域，每个检测区域包括：

具有第一p型半导体区域和形成于所述第一p型半导体区域上的第一n型半导体区域的传感器衬底；

具有形成于所述第一n型半导体区域一部分内的第二p型半导体区域并且电阻值随所施加压力而变化的压阻元件；

包围所述压阻元件以延伸通过所述第一n型半导体区域并且与所述第一p型半导体区域相连的分隔装置；

所述检测区域内的压阻元件串联连接；并且

每个压阻元件具有适于与较高电势相连的第一电极和适于与较低电势相连的第二电极，所述第一电极还与相连检测区域内的所述第一n型半导体区域连接。