[发明专利]半导体基板的表面处理液、用该液的表面处理方法和装置

权利要求书

1.一种半导体基板的表面处理液，由含有HF水溶液和臭氧水的混合液组成，其特征是所述HF水溶液的浓度为0.01％到1％和所述臭氧水的浓度为0.1ppm到20ppm。

2.权利要求1所述的半导体基板的表面处理液，其特征是：上述混合液对硅的腐蚀速率和对氧化膜的腐蚀速率实质上的相等。

3.权利要求1或权利要求2所述的半导体基板的表面处理液，其特征是上述混合液用于清洗半导体基板的表面和已形成于该半导体基板上的氧化膜。

4.一种半导体基板的表面处理方法，其特征是：在用含有的HF水溶液和臭氧水的混合液处理半导体基板的表面的方法中，上述混合液中的HF浓度为0.01％到1％，上述臭氧水的浓度为0.1ppm到20ppm。

5.权利要求4所述半导体基板的表面处理方法，其特征是上述混合液对硅的腐蚀速率和对氧化膜的腐蚀速率实质上相等。

6.权利要求4所述的半导体基板的表面处理方法，其特征是上述混合液在半导体基板的表面的清洗工序中应用。

7.权利要求5与所述的半导体基板的表面处理方法，其特征是上述混合液在半导体基板的表面的清洗工序中应用。

8.权利要求4到7的任一权利要求中所述的半导体基板的表面处理方法，其特征是上述半导体基板的表面的清洗工序在半导体基板的表面上已形成了氧化膜的状态下进行，且同时清洗上述半导体基板的表面和上述氧化膜的表面。

9.权利要求1所述半导体基板的表面处理方法，其特征是具备下述工序，把半导体基板收容于处理槽内的工序；向上述处理槽内至少供给HF水溶液和臭氧水，在生成所述混合液的同时，应用该混合液处理上述半导体基板的表面的工序；向上述处理槽内导入臭氧水，用臭氧水置换上述混合液的工序；向上述处理槽内导入纯水，用纯水置换上述臭氧水的工序；从上述处理槽内取出半导体基板并进行干燥的工序。

10.权利要求9所述的半导体基板的表面处理方法，基特征是用上述混合液对上述半导体基板的表面进行处理的工序是上述半导基板的表面的清洗工序，且可同时清洗上述半导体基板的表面和在该半导体基板的表面上形成的氧化膜。

11.一种半导体基板的表面处理装置，具备有收容半导体基板(12)的处理槽(11)，其特征还包括向上述处理槽内供给浓度为0.01％到1％的HF水溶液的HF供给装置(13、19)，向上述处理槽内供给其浓度为0.1ppm到20ppm的臭氧水的臭氧水供给装置装置(14、20)，向上述处理槽内供给纯水的纯水供给装置(15、21)和控制装置(17)，上述控制装置分别控制上述HF供给装置，上述臭氧水供给装置和上述纯水供给装置以进行半导体基板的表面处理，上述控制装置控制上述HF供给装置和上述臭氧水供给装置，使在上述处理槽内生成含有HF水溶液和臭氧水的混合液并在处理了上述半导体基板的表面之后，控制上述臭氧水供给装置，用臭氧水置换上述处理槽内混合液，按着控制上述纯水供给装置，用纯水置换上述处理槽内的臭氧水。