[发明专利]真空断续器的接触电极

权利要求书

1．一种真空断续器用接触电极，其特征在于包括：

由包括铜和银在内的一组成份中所选出的至少一种成份所组成的导电成份；以及

熔化温度大于1500℃的耐弧成份；

所述接触电极表面上之接触电极的组分量梯度A／X为0．2-12体积％／mm；

其中，

X1为所述接触电极之表面上任何半径线R1上的一点；

X2为所述接触电极之表面上任何半径线R1上的另一点；

X为以毫米计量的所述一点X1与所述另一点X2之间的间隙，其中X=X2-X1，且X2＞X1≥0；

A1为所述一点X1处以体积％计量的所述接触电极内所述组分的量；

A2为所述另一点X2处以体积％计量的所述接触电极内所述组分的量；以及

A为以体积％计量的所述组分的量A1与A2之差。

2．根据权利要求1的真空断续器的接触电极，其特征在于：

所述组分包括所述导电成份。

3．根据权利要求1的真空断续器的接触电极，其特征在于：

所述组份包括所述耐弧成份。

4．根据权利要求1的真空断续器的接触电极，其特征在于：

在所述接触电极中，所述耐弧成份的量按体积％计为5％至75％。

5．根据权利要求1的真空继续器的接触电极，其特征在于：

所述耐弧成份为从包括钛、锆、钒、铌、钽、铬、钼、钨在内的一组成份中所选择的至少一种成份。

6．根据权利要求1的真空断续器的接触电极，其特征在于：

所述耐弧成份为从包括钛、锆、钒、铌、钽、铬、钼、钨之碳化物和硼化物在内的一组成份中选出的至少一种成份。

7．根据权利要求1的真空断续器的接触电极，其特征在于进一步包括：

由包括钴、镍和铁在内的一组成份中所选出的至少一种成份所组成的辅助成份。

8．根据权利要求1的真空断续器的接触电极，其特征在于进一步包括：

由包括铋、碲、铅和锑在内的一组成份中所选出的至少一种成份所组成的辅助成份。

9．根据权利要求1的真空断续器的接触电极，其特征在于：

沿所述接触电极之表面上所述半径线R1共同存在所述梯度A／X小于0．2体积％／mm的第一区域，以及所述梯度A／X为0．2-12体积％／mm的第二区域。

10．根据权利要求1的真空断续器的接触电极，其特征在于：

按照从所述接触电极中心至周边的方向依次存在所述梯度A／X小于0．2体积％／mm的第一区域，所述梯度A／X为0．2-12体积％／mm的第二区域，以及所述梯度A／X大于12体积％／mm的第三区域。

11．根据权利要求1的真空断续器的接触电极，其特征在于：

在所述接触电极之直径的中心与沿所述接触电极之表面上所述半径线R1的所述一点X1之间，存在所述梯度A／X小于0．2体积％／mm的第一区域；以及

在所述一点X1与沿所述接触电极之表面上所述半径线R1的所述接触电极的周边之间，共同存在所述第一区域以及所述梯度A／X为0．2-12体积％／mm的第二区域。

12．一种真空断续器的接触电极，其特征在于包括：

由第一导电成份组成的基板，该第一导电成份包括从包括铜和银在内的一组成份中所选择的至少一种成份；以及

安装在所述基板上的薄接触电极；

所述薄接触电极包括：

由包括铜和银在内的一组成份中所选择的至少一种成份所组成的第二导电成份，以及

其熔化温度大于1500℃的耐弧成份，

由所述薄接触电极表面上所述第二导电成份和耐弧成份之一组成的所述薄接触电极的组分量梯度A／X为0．2-12体积％／mm；

其中，

X为所述薄接触电极之表面上任一半径线R1上的一点，

X2为所述薄接触电极之表面上所述半径线R1上的另一点，

X为以毫米计量的所述一点X1与另一点X2之间的间隙，其中X=X2-X1，且X2＞X1≥0，

A1为所述一点X1处，以体积％计量的所述薄接触电极内所述组分的量，

A2为所述另一点X2处，以体积％计量的所述薄接触电极内所述组分的量，以及

A为以体积％计量的所述组分量A1与A2之差，其中A=A2-A1。