[发明专利]形成半导体器件金属互连的方法

权利要求书

1、一种形成半导体器件金属互连的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

在形成了绝缘层的半导体衬底的预定部位处，形成接触孔；

在所说绝缘层和所说接触孔上用化学汽相淀积法依次淀积钛层和氮化钛层，这两层都具备预先确定的厚度；

在氮气氛中热退火所说衬底，其中所说氮化钛层发生相转换，形成多层氮化钛层，每层含氮量各不同，并且相态也各不相同；

在氮化钛层上淀积低电阻率的金属层；和

对在接触孔和绝缘层上形成的各层进行构图。

2、根据权利要求1的方法，其特征在于所说的钛是由TiCl₄与NH₃反应的化学汽相淀积法形成的。

3、根据权利要求1的方法，其特征在于所说的氮化钛是由四二甲基氨基钛的热分解形成的。

4、根据权利要求1的方法，其特征在于所说氮化钛是由四二乙基氨基钛的热分解形成的。

5、根据权利要求3的方法，其特征在于所说的热分解是在300～500℃的温度、5～10mTorr的压力的条件下进行的。

6、根据权利要求4的方法，其特征在于所说热分解是在300～500℃的温度，5～10mTorr的压力条件下进行的。

7、根据权利要求1的方法，其特征在于进行氮化钛物相转换的热退火是在氮气氛和400～600℃的温度下进行30～60分钟完成的。

8、根据权利要求1的方法，其特征在于进行氮化钛物相转换的热退火是在氮气氛和700～900℃温度下，进行10～30秒快速热退火完成的。

9、根据权利要求1的方法，其特征在于所说互连金属是铝或铜。

10、根据权利要求9的方法，其特征在于所说方法还包括在形成所说金属互连的构图步骤前为防止铜或铝的反射的弧形薄膜的步骤。

11、根据权利要求10的方法，其特征在于所说弧形薄膜由四二甲基氨基钛[Ti{N(CH₃)₂}₄]或四二乙基氨基钛[Ti{N(C₂H₅)₄}]组成。

12、根据权利要求10的方法，其特征在于所说氮化钛是由在300～500℃下热分解四二乙基氨基钛形成的。

13、根据权利要求10的方法，其特征在于所说氮化钛是由在300～500℃下热分解四二甲基氨基钛形成的。