[发明专利]控制偏置程度的方法和装置

说明书

本发明涉及磁-光信息存储系统，更具体地说，涉及磁-光信息存储系统中偏置线圈磁偏的控制。

在磁光-驱动设备中，在物镜的焦点处常需要能完成写入数据或删除数据操作的最低磁场强度。虽然使直流电流流过限定长度的偏置线圈可产生磁场，但所产生的是非均匀磁场。这种非均匀磁场带来的麻烦是：第一，欲使所产生的磁场能在焦点的所有位置都能写入或删除数据，还要消耗额外功率。第二，若使消耗的额外功率最小，则会出现一些由于磁场强度不够大而不能写入或删除数据的焦点位置。

此外，偏置线圈不是物镜焦点处唯一的磁场源，还有其他磁场源，如聚焦调节器和主轴电机。由于现有系统采用直流，形成均匀磁场的各种源都可计算。但是，非均匀磁场却不能精确计算，因而同样存在上述问题。

本发明的目的是提供一种控制物镜焦点处的磁场强度的方法和装置。本发明提供一个确定焦点与存储介质的相对位置的第一控制器；一个在焦点处提供杂散磁场的磁源；一个提供与位置和杂散磁场强度有关的数字信号的第二控制器；一个响应上述数字信号以便提供与上述数字信号有关的激励电压的数-模转换器；一个响应上述激励电压以提供与上述激励电压有关的偏置电流的电流激励器；以及一个响应上述偏置电流以便产生磁场的偏置线圈。焦点处的磁场强度与上述偏置电流有关。

在本发明的一方案中，上述存储介质定义一个中心，相对于该中心确定焦点位置。杂散磁场强度又与上述位置有关。存储介质以一圆周速度围绕中心转动，杂散磁场强度与此圆周速度有关。

在本发明另一方案中，设有一个检测偏置电流的电流传感器和一个将与上述偏置电流有关的反馈电压提供给电流激励器的反馈器件，电流激励器中偏置电流也与反馈电压有关。

本发明所公开的控制磁场强度的装置包括一个第一控制器，一个第二控制器，一个数-模转换器，一个电流激励器以及一个偏置线圈。第一控制器确定物镜焦点的位置，并将确定出的位置信号输入第二控制器，第二控制器提供一个与上述位置有关的数字信号。数-模转换器将上述数字信号转换成激励电压，并将此激励电压输入到电流激励器上，该电流激励器向偏置线圈输入与上述激励电压有关的偏置电流。偏置线圈产生磁场，其场强与上述偏置电流有关。第二控制器通过产生数字信号算出杂散磁场。杂散磁场的磁场强度可以恒定的，也可以随着物镜的位置、圆形存储介质的圆周速度或长形存储介质的纵向速度而变化。此外，该装置也可以包括一个检测偏置电流的电流传感器和一个将与上述偏置电流有关的反馈电压输入给电流激励器的反馈器件。

本发明还公开了一种控制磁场强度的方法，它包括下述步骤：确定物镜焦点的位置；根据上述位置计算出数字信号，产生与该数字信号有关的激励电压；根据该激励电压产生偏置电流以及产生磁场强度与上述偏置电流有关的磁场。本方法以计算数字信号的方式算出杂散磁场。杂散磁场的磁场强度可以是恒定的，也可以随着物镜的位置、存储介质的圆周速度、或存储介质的纵向速度而变化。此外，本方法也可以测量偏置电流，并向电流激励器输入与偏置电流有关的反馈电压。

图1是带长形存储介质的偏置线圈的一般示意图；

图2为带圆形存储介质的偏置线圈的一般示意图；

图3为现有技术中存储介质表面上由偏置线圈产生的磁场强度的常规曲线；

图4为现有技术中由偏置线圈在存储介质表面上产生的磁场强度的常规曲线；

图5概略地示出了本发明的一个实施例；

图6是位于存储介质表面上的本发明的磁场强度及所需要的最小磁场强度的电平的综合曲线；

图7概略地示出了本发明的另一实施例；

图8概略地示出了一种磁-光驱动设备的托架组件；

图9概略地示出了主轴电机、主轴和存储介质；

图10概略地示出了卷轴电机和存储介质；

图11为本发明另一实施例的线路图；

图12为本发明又一实施例的线路图。

参见图1所示的实例，图中示意地示出了带有长形存储介质2的偏置线圈1。偏置线圈1从存储介质2的一条边缘3横过存储介质2的宽度。物镜(未示出)被设置在离开偏置线圈1的存储介质2的相反侧。物镜可沿平行于偏置线圈1并横过存储介质2的整个宽度的方向移动。

在下面的描述中，只要有可能，不同附图中的相同器件均用相同标号表示。