[发明专利]丝焊方法、半导体器件,丝焊的毛细管及球块形成方法无效
申请号: | 96104519.1 | 申请日: | 1996-04-10 |
公开(公告)号: | CN1079167C | 公开(公告)日: | 2002-02-13 |
发明(设计)人: | 埜本隆司;辻和人;佐藤光孝;河西纯一 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杜日新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 方法 半导体器件 毛细管 形成 | ||
1.一种丝焊方法,其特征是包括:
第一焊接工序,在金属丝中形成第一球形部分并把所述第一球形部分焊到第一被连接件上;
球形部分形成工序,将所述金属丝自所述第一被连接件引出使得形成一预定的环状并在所述金属丝的预定位置上形成第二球形部分;以及
第二焊接工序,把所述第二球形部分焊到第二被连接件上,
其中在所述第一球形部分焊到所述第一被连接件上后,所述金属丝由一个部件导引,所述金属丝连续由所述部件导引形成所述预定环状,此时所述第二球形部分形成并被焊到第二被连接件上。
2.如权利要求1所述的丝焊方法,其特征为,在所述球形部分形成工序中,所述第二球形部分的形成在所述金属丝为未被切断时进行的。
3.如权利要求1所述的丝焊方法,其特征为至少所述第二球形部分利用火花放电形成。
4.如权利要求1所述的丝焊方法,其特征为所述金属丝所述第一球形部分被焊到所述第一被连接件上之后被基本上垂直地向上引导;然后所述金属丝被水平地引导,从而基本上形成直角,随后,所述第二球形部分被形成,并被焊到第二被连接件上。
5.一种丝焊方法,其特征在于包括下列步骤:
按照权利要求1所述的丝焊方法提供第一金属丝;
在第二金属丝上形成第三球形部分,并把所述第三球形部分焊到第二被连接件上;以及
如此引导所述第二金属丝离开所述第二被连接件,使得在所述第一金属丝的上方形成一个环状,并用跳焊法把所述第二金属丝焊在第一被连接件上。
6.如权利要求1所述的丝焊方法,其特征为所述第一被连接件具体为引线架,所述第二被连接件具体为半导体元件。
7.如权利要求1所述的丝焊方法,其特征为所述第一被连接件和所述第二被连接件具体为半导体。
8.如权利要求1所述的丝焊方法,其特征为所述金属丝具体为细的金丝,并且采用球焊工艺至少把所述第二球形部分焊在所述第二被连接件上。
9.一种半导体器件,包括:
半导体元件;
引线;以及
连接所述半导体元件和所述引线的金属丝;
其特征在于,
所述引线,使用在所述金属丝上形成的第一球形部分被直接地与所述金属丝焊接,
所述半导体元件中形成的电极使用在所述金属丝中形成的第二球形部分被直接与所述金属丝焊接,以及
所述金属丝形成基本上呈L形的环,包括从所述金属丝被焊到所述引线上的位置基本上垂直延伸的垂直部分以及从所述从半导体元件被焊于所述金属丝的位置水平延伸的水平部分。
10.一种丝焊毛细管使用在把金属丝焊到被连接件的焊接工艺中,其特征在于在毛细管的主体的一端包括一个突起部分。
11.如权利要求10所述的金属丝焊接毛细管,其特征在于在毛细管的主体的一端形成一个用来把所述金属丝焊到所述被连接件上的焊接部分,以及与所述焊接部分相邻形成一个按压部分,用来将所述焊接部分形成的球形部分压到所述被连接件上。
12.一种使用如权利要求10所述的金属丝焊接毛细管的球块形成方法,所述球块形成方法其特征包括:
焊接工序,用来在金属丝中形成球形部分,并使用所述丝焊毛细管的端部把所述球形部分焊到被连接件上;
球块形成工序,用于通过拉所述金属丝焊接毛细管使其离开所述金属丝焊到所述被连接件上的位置而切断所述金属丝从而在所述被连接件上形成一个球块;以及
成形工序,用来通过使所述丝焊毛细管端部的周边部分挤压所述球块而使所述球块的上主表面变平。
13.一种使用如权利要求11所述的丝焊毛细管的球块形成方法,所述球块形成方法其特征包括:
焊接工序,用来在金属丝中形成球形部分并将所述球形部分使用在所述丝焊毛细管中提供的焊接部分焊到被连接件上;
球块形成工序,用来借助于拉所述丝焊毛细管使其离开所述金属丝被焊到所述被连接件上的位置而把所述金属丝切断从而在所述被连接件上形成球块;以及
成形工序,用来借助于使在所述丝焊毛细管中提供的按压部分挤压所述球块来把所述球块的上主表面弄平。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/96104519.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:鲜草露水及鲜草露的制作方法
- 下一篇:制造薄IC卡的方法及其结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造