[发明专利]采用近距离辐射加热制备双面超导薄膜的方法无效
| 申请号： | 96104971.5 | 申请日： | 1996-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1074575C | 公开（公告）日： | 2001-11-07 |
| 发明（设计）人： | 周岳亮;熊旭明;吕惠宾;崔大复;陈正豪;李春苓;刘彦巍;何萌;杨国桢 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01B12/06 | 分类号： | H01B12/06;H01B13/00;H01L39/24;C23C14/22;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 近距离 辐射 加热 制备 双面 超导 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1．一种在真空淀积薄膜设备中，先把真空室内抽真空至0.1Pa-10-5Pa，边抽真空边动态充氧或氧气与氩气混合气体，并保持真空度在1-100Pa之间，然后缓慢升高加热器电流辐射加热基片，当基片温度达到750至780℃时保温10至15分钟，开始淀积薄膜至所需厚度后，降温到退火温度400至500℃时保温10至15分钟后，再降至室温，在降温的同时升高气压至大气压，第一面镀膜完成后翻转基片重复上述镀膜过程淀积制备第二面薄膜的采用近距离辐射加热制备双面超导薄膜方法，其特征在于：还包括在真空室内安装一个平面辐射加热器，并将基片放在真空室内的位置与平面加热器的热辐射面之间距离在0.1-10mm之间。
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